图像传感器和图像传感器集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及的是图像传感器和图像传感器集成电路。提供一种图像传感器，包括：具有半导体层的衬底；所述半导体层中的光敏元件阵列，其中所述光敏元件阵列被所述衬底的外围区至少部分地包围；以及所述衬底的所述外围区中的接合垫，其中所述接合垫凹入到所述衬底中，并且其中所述接合垫的顶表面与所述衬底的顶表面实质上平齐。本实用新型专利技术解决的一个技术问题是改进形成接合垫和对准结构的区域中的表面平整度，实现的一个技术效果是提供一种具有改进的表面平整度以及改进的在像素上方形成的滤色器和微透镜的均匀性的图像传感器。

Integrated circuit for image sensor and image sensor

The utility model relates to an integrated circuit of an image sensor and an image sensor. Provided is an image sensor includes a substrate having a semiconductor layer; the photosensitive element array of the semiconductor layer, wherein the peripheral region of the photosensitive element array of the substrate is at least partially surrounded; and the peripheral region of the substrate in the bonding pad, wherein the engaging recessed into the pad the essence of the top surface and the substrate, wherein the engaging the top surface of the pad and the substrate on the flush. A technical problem solved by the utility model is improved to form bonding pad and alignment surface structure in the area of flatness, a technical effect is achieved to provide an image sensor having a color filter is formed in the pixel at the top of the flat surface improved and improved the uniformity and micro lens.

【技术实现步骤摘要】
图像传感器和图像传感器集成电路相关申请的交叉引用本申请要求由AaronBelsher、RichardMauritzson、SwarnalBorthakur和UlrichBoettiger专利技术的、提交于2015年11月17日的名称为“ImageSensorswithImprovedSurfacePlanarity”(具有改进表面平整度的图像传感器)的美国临时申请No.62/256328的优先权，该申请以引用方式并入本文，并且据此要求该申请的共同主题的优先权。
本技术整体涉及图像传感器，更具体地讲，涉及具有改进表面平整度的背照式图像传感器。
技术介绍
现代电子设备(诸如移动电话、相机和计算机)通常使用数字图像传感器。成像器(即，图像传感器)包括二维图像传感像素阵列。每个像素包括用于接收入射光子(入射光)并把光子转变为电荷的光传感器，诸如光电二极管。常规图像像素阵列包括前照式图像像素或背照式图像像素。图像像素是通过使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术或电荷耦合器件(CCD)技术在半导体衬底上制造而成。在常规背照式图像像素中，往往在像素区外围处的衬底表面上方形成接合垫，这增加了表面形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于包括：具有半导体层的衬底；所述半导体层中的光敏元件阵列，其中所述光敏元件阵列被所述衬底的外围区至少部分地包围；以及所述衬底的所述外围区中的接合垫，其中所述接合垫凹入到所述衬底中，并且其中所述接合垫的顶表面与所述衬底的顶表面实质上平齐。

【技术特征摘要】
2015.11.17 US 62/256,328;2016.04.27 US 15/139,5051.一种图像传感器，其特征在于包括：具有半导体层的衬底；所述半导体层中的光敏元件阵列，其中所述光敏元件阵列被所述衬底的外围区至少部分地包围；以及所述衬底的所述外围区中的接合垫，其中所述接合垫凹入到所述衬底中，并且其中所述接合垫的顶表面与所述衬底的顶表面实质上平齐。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于所述接合垫的所述顶表面位于所述衬底的所述顶表面的0.5μm内。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：所述半导体层下方的介电层；以及所述接合垫下方的所述介电层中的输入/输出电路，其中所述接合垫电连接至所述输入/输出电路。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：插置在所述接合垫和所述半导体层之间的介电衬里。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于所述介电衬里包括氧化物。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于还包括：所述输入/输出电路上方的所述半导体层中的介电窗口，其中所述接合垫凹入到所述介电窗口中。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于所述介电窗口包括氧化物。8.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于还包括：所述衬底的所述外围区中的对准结构，所述对准结构包括：所述半导体层中的透明氧化物窗口；以及所述透明窗口下方的至少一个对准标记。9.一种图像传感器，其特征在于包括：具有半导体层和介电层的衬底，其中所述衬底包括像素区和对准区；所述衬底的所述像素区...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·贝尔什，R·莫里兹森，S·伯萨克，U·博提格，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US