The present invention relates to new materials and modern surface technology. The invention particularly relates to a composite coating method of plasma chemical vapor deposition and magnetron sputtering or ion plating. A voltage is applied between the cathode and the anode to produce a glow discharge of the reaction gas or an inert gas, resulting in a plasma consisting of electrons and ions. The motion of the electron is bound by orthogonal electric and magnetic fields, limited in a certain area is spinning wheel drift movement, increase the collision probability of electrons and gas atoms, so as to improve the gas ionization rate; the interaction of ions in the cathode and the anode current Holzer potential and cross electromagnetic field, from the cathode opening. Beam extraction, directly deposited onto the substrate surface, forming a thin film required. An important use of this composite surface technique is the preparation of high-quality diamond-like carbon films. The film is of great use because of its excellent properties.
【技术实现步骤摘要】
一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法
本专利技术涉及新材料和现代表面
尤其涉及一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法。
技术介绍
等离子体化学气相沉积(PCVD)或称等离子体增强化学气相沉积(PECVD),是除热能外还借助外部所加电场的激励或激发作用引起气体放电,使气体成为等离子体状态,促进化学反应,从而在基材表面形成薄膜的一类化学气相沉积技术。PCVD法可使基材温度降低很多,避免基材因高温而引起的变形或内部结构变化,并且有利于化学反应的进行,使通常难于发生的反应变为可能,从而开发出各种组成比的新材料。PVCD的最重要应用,除沉积氮化硅、氧化硅、硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜外,还用来制备金刚石薄膜、类金刚石碳膜等高性能薄膜以及一些重要的纳米材料,在电子、机械、光学、航空、医疗等领域中取得广泛的应用。PVCD法除了按加给反应室电力的方式可分为直流法、射频法和微波法三种外,还有同时加电场和磁场的方法,为在磁场使用下增加电子寿命,有效维持放电,有时需在特别低压条件下进行放电。近十多年发展起来的线性离子源(LIS)技术是一种可以形成等离子体化学气相沉积的新方法,并且还有刻蚀、清洗、辅助沉积等功能。磁控溅射技术具有沉积速率高、溅射过程中基材温升低以及操作单纯、工艺重复性好、镀膜种类多样、膜层质量高、容易实现精确控制和自动化生产等优点,故自20世纪八十年代起开始广泛用于各类薄膜的制备和工艺生产。近四十年来,磁控溅射技术不断改进和完善,开发出中频电源的孪生靶磁控溅射、非对称脉冲溅射、非平衡磁控溅射等新技术,从而进一步拓展了磁控 ...
【技术保护点】
一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法,其特征在于采用类金刚石碳膜的双系统镀覆装置进行镀覆;所述类金刚石碳膜的双系统镀覆装置具有真空室,真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件;其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统;阴极电弧离子镀与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统;该装置除上述三个主要部件外,同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法,其特征在于采用类金刚石碳膜的双系统镀覆装置进行镀覆;所述类金刚石碳膜的双系统镀覆装置具有真空室,真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件;其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统;阴极电弧离子镀与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统;该装置除上述三个主要部件外,同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。2.如权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法,其特征在于:在同一真空室内,用磁控溅射或离子镀技术制备合适的中间过渡层,然后用线性离子源进行等离子体化学气相沉积法制备高性能类金刚石碳膜。3.如权利要求2所述的等离子体化学气相沉积与磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:莫强强,
申请(专利权)人:湖州金象科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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