一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法技术

本发明专利技术涉及新材料和现代表面技术领域。尤其涉及一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法。在阴极与阳极之间施加电压，使反应气体或惰性气体发生辉光放电，产生由电子和离子构成的等离子体。其中电子的运动受到正交电场和磁场的束缚，局限在一定区域呈旋轮漂移运动，增大了电子与气体原子的碰撞几率，从而提高气体的离化率；而离子在阴极与阳极电势差以及交叉电磁场所形成霍尔电流的共同作用下，从阴极的开口处束引出，直接沉积到基材表面，形成所需要的薄膜。这项复合表面技术的一个重要用途，就是用来制备优质类金刚石碳膜。该膜因具有优异的性能而具有很大的使用价值。

Composite coating method by plasma chemical vapor deposition and magnetron sputtering or ion plating

The present invention relates to new materials and modern surface technology. The invention particularly relates to a composite coating method of plasma chemical vapor deposition and magnetron sputtering or ion plating. A voltage is applied between the cathode and the anode to produce a glow discharge of the reaction gas or an inert gas, resulting in a plasma consisting of electrons and ions. The motion of the electron is bound by orthogonal electric and magnetic fields, limited in a certain area is spinning wheel drift movement, increase the collision probability of electrons and gas atoms, so as to improve the gas ionization rate; the interaction of ions in the cathode and the anode current Holzer potential and cross electromagnetic field, from the cathode opening. Beam extraction, directly deposited onto the substrate surface, forming a thin film required. An important use of this composite surface technique is the preparation of high-quality diamond-like carbon films. The film is of great use because of its excellent properties.

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法
本专利技术涉及新材料和现代表面
尤其涉及一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法。
技术介绍
等离子体化学气相沉积（PCVD）或称等离子体增强化学气相沉积（PECVD），是除热能外还借助外部所加电场的激励或激发作用引起气体放电，使气体成为等离子体状态，促进化学反应，从而在基材表面形成薄膜的一类化学气相沉积技术。PCVD法可使基材温度降低很多，避免基材因高温而引起的变形或内部结构变化，并且有利于化学反应的进行，使通常难于发生的反应变为可能，从而开发出各种组成比的新材料。PVCD的最重要应用，除沉积氮化硅、氧化硅、硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜外，还用来制备金刚石薄膜、类金刚石碳膜等高性能薄膜以及一些重要的纳米材料，在电子、机械、光学、航空、医疗等领域中取得广泛的应用。PVCD法除了按加给反应室电力的方式可分为直流法、射频法和微波法三种外，还有同时加电场和磁场的方法，为在磁场使用下增加电子寿命，有效维持放电，有时需在特别低压条件下进行放电。近十多年发展起来的线性离子源（LIS）技术是一种可以形成等离子体化学气相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法，其特征在于采用类金刚石碳膜的双系统镀覆装置进行镀覆；所述类金刚石碳膜的双系统镀覆装置具有真空室，真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件；其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合，构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统；阴极电弧离子镀与中频磁控溅射孪生靶复合，构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统；该装置除上述三个主要部件外，同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法，其特征在于采用类金刚石碳膜的双系统镀覆装置进行镀覆；所述类金刚石碳膜的双系统镀覆装置具有真空室，真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件；其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合，构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统；阴极电弧离子镀与中频磁控溅射孪生靶复合，构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统；该装置除上述三个主要部件外，同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。2.如权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法，其特征在于：在同一真空室内，用磁控溅射或离子镀技术制备合适的中间过渡层，然后用线性离子源进行等离子体化学气相沉积法制备高性能类金刚石碳膜。3.如权利要求2所述的等离子体化学气相沉积与磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫强强，
申请(专利权)人：湖州金象科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33