一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置制造方法及图纸

技术编号:17709180 阅读:35 留言:0更新日期:2018-04-14 20:54
本实用新型专利技术涉及一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置,该装置具有真空室,真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件。本实用新型专利技术的双系统类金刚石碳膜的镀覆装置可以用来制备含氢的DLC、不含氢的DLC以及金属/DLC纳米多层膜;通过工艺参数的调整,可制备不同SP

A double system plating device for a kind of diamond carbon film

The utility model relates to a double system plating device for a diamond carbon film. The device has a vacuum chamber, and the vacuum chamber is equipped with three parts: a linear ion source, a medium frequency magnetron sputtering twin target, and a cathodic arc ion plating evaporation ionization source. The dual system diamond like carbon film plating device of the utility model can be used for preparing hydrogen containing DLC, hydrogen free DLC and metal /DLC nano multilayer films. By adjusting the technological parameters, different SP can be prepared.

【技术实现步骤摘要】
一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置
本专利技术涉及新材料和现代表面
尤其涉及一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置。
技术介绍
碳原子有SP3、SP2和SP1三种键合方式,因此碳可以形成不同类型的结构。类金刚石碳膜(diamond-LikeCarbon,DLC)是一种含有SP3和SP2键、几乎不含SP1的非晶态碳材料,结构上长程无序、短程有序。SP3键形成金刚石结构,而SP2键形成石墨结构。DLC的性能在很大程度上取决于SP3和SP2键的比率。通过工艺等因素的调整,可以对SP3和SP2键的比率进行控制,从而获得所预期的性能。由于DLC是含有大量SP3键亚稳的碳材料,所以它的硬度、耐磨性、电阻率、电绝缘强度、热导率、化学惰性以及光学性能等接近金刚石,并且在制备上又比金刚石容易,制备成本较低,所以受到人们的高度关注,获得快速发展,已在机械、电子、光学、医学、声学、磁学以及其他领域取得广泛应用,并且有着良好的应用前景。一些科学家预测DLC将是21世纪应用最广泛、经济效益最大的新材料之一。DLC按含氢与否可分为两种类型:(1)含氢的DLC(a-c:H)拉曼光谱上特征峰为1552cm-1—15本文档来自技高网...
一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置

【技术保护点】
一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置,其特征在于:该装置具有真空室,真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件;其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统;阴极电弧离子镀蒸发离化源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统;该装置除上述三大部件外,同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。

【技术特征摘要】
1.一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置,其特征在于:该装置具有真空室,真空室中安置有线性离子源、中频磁控溅射孪生靶和阴极电弧离子镀蒸发离化源三大部件;其中线性离子源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆含氢类金刚石碳膜的系统;阴极电弧离子镀蒸发离化源与中频磁控溅射孪生靶复合,构成了镀覆不含氢类金刚石碳膜的系统;该装置除上述三大部件外,同时配备有抽气、加热、充气、控制部件。2.如权利要求1所述的一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置,其特征在于:所述真空室的内壁上安置有两个对称分布的线性离子源,它们中轴线相交成60度。3.如权利要求1所述的一种类金刚石碳膜的双系统镀覆装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:莫强强吕本荣沈强
申请(专利权)人:湖州金象科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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