The present invention provides a method for G C3N4 on the surface of CoP nanoparticles in situ growth method and application. The invention is characterized in that the Co (OH) 2 is grown in situ on the carbon nitride by an in-situ loading method, and then the sodium hypophosphite is decomposed under the protection of an inert atmosphere to release the PH3 gas to produce CoP. This method can make CoP nanoparticles uniformly loaded on carbon nitride, finally obtained CoP/g C3N4 composite photocatalyst. The present invention available raw materials and simple operation, and creatively put this composite photocatalyst used in photocatalytic hydrogen peroxide production, CoP as a cocatalyst first can enhance the absorption of visible light, but also because it has the properties of metal capable of rapid separation of electrons and holes, which absorbed light can be more efficient use. Finally, to effectively improve the catalytic activity of carbon nitride catalyst photocatalytic production of hydrogen peroxide in the body.
【技术实现步骤摘要】
一种复合CoP/g-C3N4光催化剂的制备和应用
本专利技术涉及纳米材料和光催化领域。
技术介绍
双氧水作为一种环境友好型的氧化剂,其被广泛的应用在废水处理,纸浆漂白,以及杀菌消毒的过程中。而且近年来由于其在选择性氧化中的广泛应用,使得对其的需求量越来越大。但是传统的生产方法能耗较大,对环境的污染严重,从而大大增加了能源和环境的压力。因此,迫切需要发展一种新的方法以及利用清洁能源来生产双氧水。其中使用光催化剂,在太阳能的驱动下,在氧气氛围下光催化产双氧水具有很大的研究价值及应用前景。近年来有学者报道了基于氧化钛这种半导体来产双氧水的方法,但是由于其禁带宽度较宽(3.2eV),光生电子-空穴对的快速复合,使得想利用其去高效地产双氧水,还需要其他的一些比较繁琐的手段对其加以改性。而当氮化碳这种半导体被发现之后,其比二氧化钛更有优势,因为其禁带宽度比较窄(2.7eV)能够更有效地利用可见光。但是其自身的光生电子-空穴对的复合也导致了较低的太阳光的利用效率,从而限制了光催化产双氧水的活性。前者研究表明,在半导体上负载贵金属作为助催化剂是一种比较好的快速分离电子-空穴的方法,比如在氧化钛上负载金,银,或者是金银合金都能够有效地分离电子和空穴,提高光催化活性。但是由于贵金属稀少且价格昂贵,其广泛应用受到限制。于是寻求地球上较丰富的,且廉价易得的金属作为助催化剂吸引了众多的研究兴趣。基于此,许多研究者开始利用过渡金属化合物作为助催化剂,其中过渡金属磷化物因为其具有一定的金属性质,能够快速的传递电子而广受瞩目。过渡金属磷化物中CoP由于其稳定性较好,而被广泛地应用。在此专 ...
【技术保护点】
一种在g‑C3N4表面生原位长CoP纳米颗粒的方法,其特征在于:包括以下步骤:将一定比例的三聚氰胺以及氯化铵的混合物以一定的升温速率上升到一定的温度保温4个小时,最后得到g‑C3N4;将步骤(1)制备得到的氮化碳取一定量,通过超声均匀地分散在一定量的水中,称为溶液A,然后使一定量的六水硝酸钴和六亚甲基四胺溶解在一定量的水中,记为溶液B;将溶液B缓慢地滴加到溶液A中,在一定的温度下反应数小时;之后离心洗涤,先水洗后醇洗,最后在60度的真空干燥箱内干燥,得到Co(OH)2/g‑C3N4复合物;将步骤(2)中制备得到的Co(OH)2/g‑C3N4复合物取出一部分,将此部分放在瓷方舟的一端,然后在另一端放置次磷酸钠,在惰性气氛围下煅烧两个小时,最后得到CoP/g‑C3N4复合物。
【技术特征摘要】
1.一种在g-C3N4表面生原位长CoP纳米颗粒的方法,其特征在于:包括以下步骤:将一定比例的三聚氰胺以及氯化铵的混合物以一定的升温速率上升到一定的温度保温4个小时,最后得到g-C3N4;将步骤(1)制备得到的氮化碳取一定量,通过超声均匀地分散在一定量的水中,称为溶液A,然后使一定量的六水硝酸钴和六亚甲基四胺溶解在一定量的水中,记为溶液B;将溶液B缓慢地滴加到溶液A中,在一定的温度下反应数小时;之后离心洗涤,先水洗后醇洗,最后在60度的真空干燥箱内干燥,得到Co(OH)2/g-C3N4复合物;将步骤(2)中制备得到的Co(OH)2/g-C3N4复合物取出一部分,将此部分放在瓷方舟的一端,然后在另一端放置次磷酸钠,在惰性气氛围下煅烧两个小时,最后得到CoP/g-C3N4复合物。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中使用的前驱体为三聚氰胺,氯化铵作为鼓泡剂,其比例为1:1。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中的升温速率为两段式,先5℃/min升到300℃之后再2℃/min升到520℃保温时间为4小时。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中所用溶剂为水,体积为10ml,六水硝酸钴的用量为30-70mg,随后...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金龙,雷菊英,彭玉兰,
申请(专利权)人:华东理工大学,
类型:发明
国别省市:上海,31
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