控制包含至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段的嵌段共聚物的合成的方法和这样的嵌段共聚物通过直接自组装在纳米光刻应用中的用途技术

控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液，‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，‑以恒定的流量比，将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，‑收取所获得的共聚物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制包含至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段的嵌段共聚物的合成的方法和这样的嵌段共聚物通过直接自组装在纳米光刻应用中的用途
本专利技术涉及纳米结构化的嵌段共聚物的领域，所述共聚物具有在特定方向上取向(定向)的纳米域(纳米畴)且意图通过直接自组装(也已知缩写为DSA)用于纳米光刻的应用中。更特别地，本专利技术涉及控制包含至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段的嵌段共聚物(例如，聚苯乙烯-b-聚(甲基丙烯酸甲酯)，以下称作PS-b-PMMA)的合成的方法、涉及以受控方式合成的所述嵌段共聚物和涉及所述嵌段共聚物通过直接自组装在纳米光刻方法中作为掩模的用途。
技术介绍
纳米技术的发展使得实现在微电子和特别地微电机系统(MEMS)领域中的产品的持续地小型化。常规的光刻技术现在不再能够符合这些对于小型化的不断需求，因为其无法容许以60nm以下的尺寸制造结构体。因此，必须改变光刻技术和产生这样的蚀刻掩模，所述掩模使得可在高分辨率下产生愈来愈小的图案。使用嵌段共聚物，可通过嵌段之间的相分离(相偏析)使共聚物的组成嵌段的排列结构化，由此以可在50nm以下的尺度形成纳米域。由于这种自身纳米结构化的能力，现本文档来自技高网...

【技术保护点】
控制包含具有至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段的至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的所述大分子引发剂与碱金属醇盐而制备先前合成的所述大分子引发剂的溶液，‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，‑在恒定流量比下，将大分子引发剂和极性单体的先前制备的两种溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，‑收取所获得的共...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.16 FR 14625561.控制包含具有至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段的至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：-合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，-通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的所述大分子引发剂与碱金属醇盐而制备先前合成的所述大分子引发剂的溶液，-在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，-在恒定流量比下，将大分子引发剂和极性单体的先前制备的两种溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，-收取所获得的共聚物。2.如权利要求1中所述的方法，其特征在于所述共聚物的组成单体选自苯乙烯或(甲基)丙烯酸类或乙烯基吡啶单体、和更特别地苯乙烯和甲基丙烯酸甲酯。3.如权利要求1中所述的方法，其特征在于聚合引发剂为正丁基锂。4.如权利要求1中所述的方法，其特征在于单一的聚合溶剂为甲苯或乙苯。5.如权利要求1中所述的方法，其特征在于所述碱金属醇盐为甲氧基乙醇锂，并且甲氧基乙醇锂/非极性大分子引发剂的摩尔比在1和10之间、且优选地等于6。6.如权利要求1至5之一中所述的方法，其特征在于来自所述微混合物的混合物中的非极性大分子引发剂的浓度在95和5之间、优选地在95和50...

【专利技术属性】
技术研发人员：C纳瓦罗，C尼科利特，X舍瓦利耶，
申请(专利权)人：阿科玛法国公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR