一种光电器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法，该材料由一种硫化镉/碲化镉异质结纳米棒经封装而来，具体包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'‑四氟‑2,3,5,6‑四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。本发明专利技术还公开了这种器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种能同时产生光电效应与电致发光的器件及其制备方法。
技术介绍
由于纳米材料尤其是量子点、纳米异质结具备与大块材料不同的能带结构，在光电领域具备巨大的应用潜力。如中国专利技术专利CN103943733A公开了一种基于垂直纳米线的LED超平行光源的制备方法,其光源采用垂直硅纳米线的Si-CdS异质pn结,微透镜采用凹面镜。制备方法具体包括:首先制备圆点掩模板以确定硅纳米线的大小;然后使用ICP-RIE干法刻蚀技术制备硅纳米线;并且热氧化硅纳米线,去除硅纳米线顶端部分部氧化层;溅射多晶CdS薄膜,以形成Si-CdS异质结;最后以Si-CdS异质结为中心,采用淀积技术得到凹面镜,并且,凹面镜的轮廓为抛物线形。该专利技术利用硅基纳米Si-CdS异质pn结的发光特性,结合微型凹面镜制备工艺,实现了简单、集成、高效的超平行光的发射。中国专利技术专利CN105742430A提供了一种LED外延结构,包括衬底,依次层叠形成在所述衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、异质结层以及P型GaN层;还包括设置在所述N型GaN层与所述异本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含异质结纳米棒的器件，其特征在于，该器件包含硫化镉/碲化镉纳米棒，能同时具备光电效应与电致发光的功能。

【技术特征摘要】
1.一种包含异质结纳米棒的器件，其特征在于，该器件包含硫化镉/碲化镉纳米棒，能同时具备光电效应与电致发光的功能。2.根据权利要求1所述的一种包含异质结纳米棒的器件，其特征在于，其特征在于，该异质结中CdS、CdTe的晶粒直径在15纳米以内。3.根据权利要求1所述的一种包含异质结纳米棒的器件，其特征在于，其组成包含各向异性导电膜、Al电极、ZnO、异质结纳米棒、7,7',8,8'-四氟-2,3,5,6-四氰二甲基对苯醌、TCNQF4等部分。4.根据权利要求3所述的一种包含异质结纳米棒的器件，其特征在于，所述Al电极的厚度为50-200纳米。5.根据权利要求3所述的一种包含异质结纳米棒的器件的制备方法，其特征在于，该方法包含下列步骤：第一步，制备异质结纳米棒（1）采用CdO粉和磷酸正十八脂溶解在三正辛基氧膦中，合成Cd—ODPA复合物；（2）在合适的温度下注入S与三辛基（TOP）的混合物，搅拌；（3）注入碲的TOP溶液；（4）将得到的硫化镉/碲化镉纳米棒沉淀溶解在氯仿中；（5）将十八烯、油酸和乙酸锌...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市皎朝纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32