用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料制造技术

本发明专利技术公开了用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，通过在宽谱带光敏电阻材料CdTe、CdS、CdSe中掺杂质量百分比为1%的稀土硝酸盐，在1000℃恒温烘箱中烘烤过程中消除硝酸根，并且稀土离子较Cu离子在提高宽谱带光敏电阻的灵敏度方面优势明显，利用本发明专利技术提供的制备方法所得高灵敏度宽谱带光敏电阻具有灵敏度高的优点。

Photosensitive materials for the preparation of high sensitivity wide band photosensitive resistors

The invention discloses a method for preparing high sensitivity wide spectrum of photosensitive materials with photoresistor, the wide band doping mass percentage of photosensitive resistance materials CdTe, CdS, CdSe for 1% rare earth nitrate, in the constant temperature of 1000 DEG C oven baking process to eliminate nitrate, and rare earth ions than Cu ion in improving width the sensitivity of photosensitive resistance bands have obvious advantages, the preparation method provided by the invention of the high sensitivity wide band photosensitive resistor has the advantage of high sensitivity.

【技术实现步骤摘要】
用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料
本专利技术涉及光敏电阻
，具体地，涉及用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料。
技术介绍
能够同时在可见光和近红外光照射条件下工作的宽谱带光敏电阻广泛应用于光电检测控制系统，特别是近红外光检测控制系统，如红外成像，红外感应等。目前，宽谱带光敏电阻通常由附在陶瓷基体表面的光敏材料层电联两个电极组成，光敏电阻材料对宽谱带光敏电阻的性能起决定性作用。宽谱带光敏电阻材料多采用在对可见光敏感的CdS、CdSe、CdCl2混合物中掺杂CdTe量子点，利用CdTe量子点的量子限域效应产生红移特性，把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱。但是，现有宽谱带光敏电阻材料主要存在的问题是：灵敏度低，难以满足现代光电检测控制系统对宽谱带光敏电阻高灵敏度的要求。国内外主要通过添加CuCl2材料来提高宽谱带光敏电阻的灵敏度。虽然CuCl2材料利用Cu离子有效的提高了电子迁移率，进而一定程度提高了宽谱带光敏电阻的灵敏度，但引入的游离态Cl离子难以消除，对宽谱带光敏电阻的灵敏度造成负面影响，成为进一步提高宽谱带光敏电阻灵敏度的难题。因此需要提供一种灵敏度更高的宽谱带光敏电阻，以满足光电检测控制系统对宽谱带光敏电阻灵敏度的更高要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述问题，提出用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻制备方法，以提高宽谱带光敏电阻的灵敏度。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，所述光敏材料由高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述高灵敏度宽谱带光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：CdTe27%-47%，CdSe25%-45%，CdCl17%-37%，余量为稀土硝酸盐；将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物25%-45%，离子水55%-75%。进一步地，所述稀土硝酸盐为硝酸铽、硝酸镝、硝酸钬、硝酸铒、硝酸铥、硝酸镱或硝酸镥中的任一种。进一步地，所述各组分的重量百分比CdTe为37%，CdSe35%，CdCl27%，稀土硝酸盐1%；所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物35%，离子水65%。制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的方法，包括以下步骤：步骤1：制备陶瓷基体；步骤2：配置高灵敏度宽谱带光敏溶液；步骤3：将高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成高灵敏度宽谱带光敏材料层；步骤4：将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后，放入900℃-1100℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟；步骤5：将两个电极安装在步骤4形成的高灵敏度宽谱带光敏材料层两端，得到高灵敏度宽谱带光敏电阻主体；步骤6：在高灵敏度宽谱带电阻主体表面喷涂隔离层，得到高灵敏度宽谱带光敏电阻。进一步地，步骤2中，所述高灵敏度宽谱带光敏溶液，包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：CdTe27%-47%，CdSe25%-45%，CdCl17%-37%，余量为稀土硝酸盐；将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物25%-45%，离子水55%-75%。进一步地，步骤4具体为，将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入1000℃恒温烘箱中烘烤20分钟。进一步地，所述陶瓷基体由纯度为90%以上的三氧化二铝材料制成。进一步地，步骤3具体为，将步骤S2所得的高灵敏度宽谱带光敏材料溶液喷涂在陶瓷基体表面，喷涂5次，所述高灵敏度宽谱带光敏材料层厚度为4微米。进一步地，步骤6具体为，利用环氧树脂在光敏电阻主体表面，形成隔离层，所述隔离层厚度为4微米。进一步地，所述各组分的重量百分比CdTe为37%，CdSe35%，CdCl27%，稀土硝酸盐1%；所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物35%，离子水65%。本专利技术各实施例的用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻制备方法，通过在宽谱带光敏电阻材料CdTe、CdS、CdSe中掺杂质量百分比为1%的稀土硝酸盐，在1000℃恒温烘箱中烘烤过程中消除硝酸根，并且稀土离子较Cu离子在提高宽谱带光敏电阻的灵敏度方面优势明显，利用本专利技术提供的制备方法所得高灵敏度宽谱带光敏电阻具有灵敏度高的优点。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术实施例所述的光敏电阻结构图。结合附图，本专利技术实施例中附图标记如下：1-陶瓷基体；2-光敏材料层；3-电极。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1，用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，所述光敏材料由高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述高灵敏度宽谱带光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：CdTe27%-47%，CdSe25%-45%，CdCl17%-37%，余量为稀土硝酸盐；将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物25%-45%，离子水55%-75%。所述稀土硝酸盐为硝酸铽、硝酸镝、硝酸钬、硝酸铒、硝酸铥、硝酸镱或硝酸镥中的任一种。高灵敏度宽谱带光敏电阻及其制备方法，其特征在于所述方法包括以下操作步骤：S1，制备陶瓷基体；S2，配置高灵敏度宽谱带光敏溶液；S3，将高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成高灵敏度宽谱带光敏材料层；S4，将喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后，放入1000℃恒温烘箱中烘烤20分钟；S5，将两个电极安装在形成高灵敏度宽谱带光敏材料层两端，得到高灵敏度宽谱带光敏电阻主体。S6，在高灵敏度宽谱带电阻主体表面喷涂隔离层，得到高灵敏度宽谱带光敏电阻。优选地，所述步骤S1具体为：用纯度为90%以上的三氧化二铝材料制备所需形状的陶瓷基体。优选地，所述步骤S2具体为：首先，按照以下配比配置红外光光敏溶液并将各原料混合均匀后得到红外光光敏材料层混合物：CdTe37%（重量百分比）CdSe35%（重量百分比）CdCl27%（重量百分比）稀土硝酸盐1%（重量百分比）所述的稀土硝酸盐为硝酸铽、硝酸镝、硝酸钬、硝酸铒、硝酸铥、硝酸镱和硝酸镥中的一种。然后，将高灵敏度宽谱带光敏材料层混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，其中高灵敏度宽谱带光敏材料溶液中，高灵敏度宽谱带光敏材料层混合物的质量百分比为35%，离子水的质量百分比为65%。当在上述取值范围内取值时，利用上述给出的百分比制备的电阻灵敏度是最优的。而范围内的其他数值（包括端点值）的灵敏度仅次于上述公开的具体数值。优选地，所述步骤S3具体为：将步骤S2所得的高灵敏度宽谱带光敏材料溶液喷涂在陶瓷基本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料由高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述高灵敏度宽谱带光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：CdTe 27%‑47%，CdSe 25%‑45%，CdCl 17%‑37%，余量为稀土硝酸盐；将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物25%‑45%，离子水55%‑75%。

【技术特征摘要】
1.用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料由高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成，所述高灵敏度宽谱带光敏溶液包括混合物和离子水，所述混合物由以下重量百分比的各组分组成：CdTe27%-47%，CdSe25%-45%，CdCl17%-37%，余量为稀土硝酸盐；将混合物溶解在离子水中得到高灵敏度宽谱带光敏材料溶液，所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物25%-45%，离子水55%-75%。2.根据权利要求1所述的用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述稀土硝酸盐为硝酸铽、硝酸镝、硝酸钬、硝酸铒、硝酸铥、硝酸镱或硝酸镥中的任一种。3.根据权利要求2所述的用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料，其特征在于，所述各组分的重量百分比CdTe为37%，CdSe35%，CdCl27%，稀土硝酸盐1%；所述光敏材料溶液中混合物与离子水的质量百分比为，混合物35%，离子水65%。4.制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备陶瓷基体；步骤2：配置高灵敏度宽谱带光敏溶液；步骤3：将高灵敏度宽谱带光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成高灵敏度宽谱带光敏材料层；步骤4：将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后，放入900℃-1100℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟；步骤5：将两个电极安装在步骤4形成的高灵敏度宽谱带光敏材料层两端，得到高灵敏度宽谱带光敏电阻主体；步骤6：在高灵敏度宽谱带电阻主体表面喷涂隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝磊，侯书进，崔少博，卢志文，郭浩，谭燮薇，
申请(专利权)人：南阳师范学院，
类型：发明
国别省市：河南,41