一种光敏电阻瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种光敏电阻瓷，属于功能陶瓷技术领域，是由以下重量份的组分制成：CdS 50～70份，CdSe 20～35份，CdCl

【技术实现步骤摘要】
一种光敏电阻瓷及其制备方法
本专利技术涉及功能陶瓷
，特别涉及一种光敏电阻瓷及其制备方法。
技术介绍
光敏电阻的光谱特性是指光敏电阻灵敏度最高时所处的那段光波波长，如CdS灵敏度峰值波长520nm，CdSe灵敏度峰值波长在720nm，两者按不同比例形成固液体时灵敏度峰值范围在520～720nm之间连续变化。光电灵敏度是指一定的光照条件下所产生的光电流的大小，它与材料的光生载流子数目、寿命、电极之间的距离有关。但在不同的场合其它表示方法不同。光敏电阻的光敏层是将光敏溶液涂在陶瓷基体的表面后高温烧结而形成。传统的光敏电阻的光敏层主要包括CdS、CdSe和CdCl2三种材料混合后溶解在离子水中得到。传统的光敏电阻的灵敏度已不能满足现代光电控制系统的高精度要求。目前，人们通过在光敏层添加CuCl2材料来提高光敏电阻的暗电阻并降低其亮电阻，从而提高光敏电阻的灵敏度。虽然添加CuCl2材料的方式可以提高光敏电阻的灵敏度，但是由于铜离子存在不稳定性，即一价铜离子和二价铜离子会互相变化，由此将导致光敏电阻在老化工艺后性能参数降低，稳定性较差，突出表现之一为废品率高，达到15％左右。
技术实现思路
本专利技术提供了一种光敏电阻瓷及其制备方法，解决现有的光敏电阻瓷在老化工艺后性能参数降低、稳定性差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS50～70份，CdSe20～35份，CdCl22～3.5份、ZnCl22.5～4份、CuCl23～4份、LiCl21～3.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5～1.5重量份。其中，优选地，一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS60份，CdSe30份，CdCl22.8份、ZnCl23.5份、CuCl23.5份、LiCl22份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1份。本专利技术并提供了光敏电阻陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中400～500℃烧5～7小时，再加去离子水研细，烘干备用；(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步骤(1)中烘干备用的CdSe，加入去离子研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；(3)将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。其中，优选地，所述烧成是氮气气氛中，600℃保温30～45分钟。其中，优选地，所述步骤(3)在喷膜后还包括在喷膜上喷涂隔离层的步骤。其中，优选地，所述隔离层的材料的环氧树脂。本专利技术的有益效果：CdS的熔点为1750℃，故其烧成温度很高。为了降低烧成温度，要加入助熔剂，以获得紧密结构的烧结层。常用的助熔剂为CdCl2，熔剂的熔点应比CdS低，能在烧成温度熔化，促进CdS烧结。但在烧成时，CdCl2大部分变成气体由气氛气体带走，残留的部分在湿汽的作用下会离解，呈酸性，慢慢与CdS及电极材料In起化学反应，最后将In完全腐蚀掉。这是影响CdS光敏电阻稳定性的主要原因之一。本专利技术采用CdCl2、ZnCl2、CaCl2、LiCl2的复合助熔剂，烧成时大部分变成气体由气氛气体带走，残留的部分较少，并且不会和电极材料In起化学反应。并且本专利技术采用Cu(NO3)2代替传统的CuCl2，提高了Cu离子的稳定性，该光敏电阻在老化工艺后性能参数降低，稳定性好，光敏灵敏度可提高50％左右，废品率控制在5％以内。具体实施方式下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1本实施例提供一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS60份，CdSe30份，CdCl22.8份、ZnCl23.5份、CuCl23.5份、LiCl22份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1份。本实施例光敏电阻陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中450℃烧6小时，再加去离子水研细，烘干备用；(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步骤(1)中烘干备用的CdSe，加入去离子研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；(3)将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。所述烧成是氮气气氛中，600℃保温40分钟。所述步骤(3)在喷膜后还包括在喷膜上喷涂环氧树脂隔离层的步骤。实施例2本实施例提供一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS50份，CdSe35份，CdCl22份、ZnCl24份、CuCl23份、LiCl23.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5重量份。本实施例光敏电阻陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中400℃烧7小时，再加去离子水研细，烘干备用；(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步骤(1)中烘干备用的CdSe，加入去离子研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；(3)将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。所述烧成是氮气气氛中，600℃保温30分钟。所述步骤(3)在喷膜后还包括在喷膜上喷涂环氧树脂隔离层的步骤。实施例3本实施例提供一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS70份，CdSe20份，CdCl23.5份、ZnCl22.5份、CuCl24份、LiCl21份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1.5重量份。本实施例光敏电阻陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中500℃烧5小时，再加去离子水研细，烘干备用；(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步骤(1)中烘干备用的CdSe，加入去离子研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；(3)将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。所述烧成是氮气气氛中，600℃保温45分钟。所述步骤(3)在喷膜后还包括在喷膜上喷涂环氧树脂隔离层的步骤。实施例4本实施例提供一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS55份，CdSe28份，CdCl22.5份、ZnCl23.5份、CuCl23.6份、LiCl22.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1.2重量份。本实施例光敏电阻陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中45℃烧6小时，再加去离子水研细，烘干备用；(2)取CdS、CdCl2、ZnCl2、CuCl2、LiCl2和步骤(1)中烘干备用的CdSe，加入去离子研混均匀，再加入Cu(NO3)2研磨均匀；(3)将上述混合液用喷枪喷在基体上喷膜、干燥，放入管式炉中进行烧成，即得。所述烧成是氮气气氛中，600℃保温42分钟。所述步骤(3)在喷膜后还包括在喷膜上喷涂环氧树脂隔离层的步骤。实施例5本实施例提供一种光敏电阻瓷，是由以下重量份的组分制成：CdS65份，CdSe32份，CdCl23.2份、ZnCl23份、CuCl23.2份、LiCl22份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.8重量份。本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光敏电阻瓷，其特征在于是由以下重量份的组分制成：CdS 50～70份，CdSe 20～35份，CdCl

【技术特征摘要】
1.一种光敏电阻瓷，其特征在于是由以下重量份的组分制成：CdS50～70份，CdSe20～35份，CdCl22～3.5份、ZnCl22.5～4份、CuCl23～4份、LiCl21～3.5份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液0.5～1.5重量份。2.根据权利要求1所述的一种光敏电阻瓷，其特征在于：是由以下重量份的组分制成：CdS60份，CdSe30份，CdCl22.8份、ZnCl23.5份、CuCl23.5份、LiCl22份、Cu含量为1mg/ml的Cu(NO3)2溶液1份。3.一种权利要求1或2所述的光敏电阻陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)取CdSe在氮气气氛中400...

【专利技术属性】
技术研发人员：何东，张天宇，宋晓超，张天舒，
申请(专利权)人：安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34