一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型专利技术的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型专利技术的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料。
技术介绍
随着红外探测技术的不断发展，红外隐身技术也在不断提高，通过使在特定波段上目标与环境背景具有相似的发射率，从而导致红外目标对比度的下降，难以识别。若一个热成像系统能在多波段对目标和环境的辐射特征进行同时探测，通过对比不同辐射波长下的辐射特征，就可以对复杂的背景进行抑制，实现红外探测不受环境的制约，准确地提取目标特征，提高对目标的探测效果，在目标搜寻、导弹预警探测、情报侦察等军事和相关的民用领域有着广阔的应用前景。叠层双色HgCdTe材料的制备是实现双色探测器的基础，传统的短/中波双色探测器采用碲锌镉(CdZnTe)作为衬底材料，材料的成本很高，机械强度较差，生长过程中温度控制较难，并且在(211)晶向的衬底磨抛工艺方面难度很大，表面损伤较多，这就导致外延HgCdTe后表面缺陷密度较高；同时其难以实现大尺寸材料制备，限制了双色器件向大面阵方向发展。Si衬底作为一种替代衬底材料具有：更大面积的衬底、更低的衬底材料成本、与Si读出电路的自动热应力匹配、较高的机械强度和平整度及潜在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3。

【技术特征摘要】
1.一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4；所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3。2.如权利要求1所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，所述硅基复合衬底由下到上依次包括：硅衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：王经纬，高达，王丛，刘铭，强宇，周立庆，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11