抑制了包含钽的材料的损伤的半导体元件的清洗液、及使用其的清洗方法技术

根据本发明专利技术，可以提供一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抑制了包含钽的材料的损伤的半导体元件的清洗液、及使用其的清洗方法
本专利技术涉及：在半导体元件的制造工序中抑制低介电常数膜和包含钽的材料的损伤、去除被处理物表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗液、及使用其的清洗方法。
技术介绍
经过高集成化的半导体元件的制造通常如下：在硅晶圆等元件上形成作为导电用布线原材料的金属膜等导电薄膜、用于进行导电薄膜间的绝缘的层间绝缘膜，然后在其表面上均匀地涂布光致抗蚀剂而设置光敏层，并对其实施选择性地曝光、显影处理，制作期望的光致抗蚀剂图案。接着，以该光致抗蚀剂图案作为掩模，对层间绝缘膜实施干刻蚀处理，从而在该薄膜上形成期望的图案。而且，一般采用的是，将光致抗蚀剂图案和通过干刻蚀处理而产生的残渣物(以下，称为“干蚀刻残渣”)等利用基于氧等离子体的灰化、使用清洗液的清洗等完全去除之类的一系列工序。近年来，设计规则的微细化推进，信号传导延迟逐渐支配高速度演算处理的限度。因此，导电用布线原材料从铝向电阻更低的铜转移，层间绝缘膜从硅氧化膜向低介电常数膜(相对介电常数小于3的膜。以下，称为“Low-k膜”)的转移正在推进。铜与层间绝缘膜的密合性不充分，而且若铜与层间绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.13 JP 2014-2306351.一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low-k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，所述清洗液的pH值为7～14。3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，所述包含10原子％以上的钽的材料为选自由氧化钽、氮化钽和钽组成的组中的至少1种。4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其中，所述碱土金属化合物为选自由钙化合物、锶化合物和钡化合物组成的组中的至少1种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗方法，其中，所述碱的含量为0.1～20质量％。6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗方法，其中，所述碱为选自由氢氧化钾、乙酸钾、碳酸钾、磷酸钾、氨、四甲基...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾家俊行，岛田宪司，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP