抑制了钴的损伤的半导体元件的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法技术

根据本发明专利技术，提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料、和低介电常数层间绝缘膜，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抑制了钴的损伤的半导体元件的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法
本专利技术涉及：在半导体元件的制造工序中至少可抑制低介电常数层间绝缘膜、和(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料的损伤、去除存在于半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液；和，使用其的半导体元件的清洗方法。
技术介绍
经过高集成化的半导体元件的制造通常如下：在硅晶圆等元件上形成作为导电用布线原材料的金属膜等导电薄膜、用于进行导电薄膜间的绝缘的层间绝缘膜，然后在其表面上均匀地涂布光致抗蚀剂而设置光敏层，对其实施选择性的曝光、显影处理，制作期望的抗蚀图案。接着，以该抗蚀图案作为掩模，对层间绝缘膜实施干蚀刻处理，从而在该薄膜上形成期望的图案。而且，一般采用的是，将抗蚀图案和通过干蚀刻处理而产生的残渣物(以下，称为“干蚀刻残渣”)等利用基于氧等离子体进行灰化，之后使用清洗液等完全去除之类的一系列的工序。近年来，设计规则的微细化推进，信号传导延迟逐渐支配高速度演算处理的限度。因此，导电用布线原材料从铝向电阻更低的铜转移，层间绝缘膜从硅氧化膜向低介电常数膜(相对介电常数小于3的膜。以下，称为“Low-k膜”)的转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、和(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.13 JP 2014-2306361.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low-k膜)、和(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。2.根据权利要求1所述的清洗液，其中，所述碱金属化合物为选自由氢氧化锂、硫酸锂、碳酸锂、碳酸氢锂、硝酸锂、氟化锂、氯化锂、溴化锂、碘化锂、乙酸锂、氢氧化钠、硫酸钠、碳酸钠、碳酸氢钠、硝酸钠、氟化钠、氯化钠、溴化钠、碘化钠、乙酸钠、氢氧化钾、硫酸钾、碳酸钾、碳酸氢钾、硝酸钾、氟化钾、氯化钾、溴化钾、碘化钾、乙酸钾、氢氧化铯、硫酸铯、碳酸铯、碳酸氢铯、硝酸铯、氟化铯、氯化铯、溴化铯、碘化铯和乙酸铯组成的组中的至少1种以上。3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述过氧化物为选自由过氧化氢、过氧化脲、间氯过氧苯甲酸、叔丁基氢过氧化物、过氧乙酸、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化丙酮、过氧化甲乙酮、六亚甲基三过氧化物和氢过氧化枯烯组成的组中的至少1种以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗液，其中，所述防腐剂为选自由二胺化合物、烷醇胺化合物、吡唑化合物、咪唑化合物和三唑化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾家俊行，岛田宪司，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP