无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置，用以解决目前OLED显示面板中的薄膜封装结构，采用化学气相沉积工艺制备的无机膜层致密性偏差，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差的问题。该方法包括：采用化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；采用原子层沉积工艺，在第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。本发明专利技术采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分别制作两层无机封装薄膜，原子层沉积工艺成膜单位微小，膜层的致密性更高，因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力，改善了封装的效果。

【技术实现步骤摘要】
无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置
本专利技术涉及封装薄膜
，尤其涉及无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置。
技术介绍
电子器件尤其是OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)器件对空气中的水汽和氧气特别敏感，因此需要对OLED器件进行封装以保证器件的性能和使用寿命。随着柔性OLED显示面板的出现，针对性的提出了薄膜封装技术，其一方面要求封装结构对隔阻水氧的能力要强，另一方面，还要求封装结构需具有柔性可弯曲的特性，这就使得传统的刚性封装结构无法满足需求，而以薄膜封装结构为代表的新的封装形式显现出来。目前，多数的薄膜封装结构都是有机和无机交替排列的结构，其中无机膜层通常采用化学气相沉积工艺，制备SiNx\SiO2等无机膜层，但是因为现有的OLED显示面板要求只能进行低温工艺，而化学气相沉积工艺只有在高温成膜时致密性才比较好，加上应力等其他指标的限制，制备出的无机膜层致密性偏差，甚至会有细微孔洞出现，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差。综上所述，目前OLED显示面板中的薄膜封装结构，采用化学气相沉积工艺制备的无机膜层致密性偏差，甚至会有细微孔洞出现，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置，用以解决目前OLED显示面板中的薄膜封装结构，采用化学气相沉积工艺制备的无机膜层致密性偏差，甚至会有细微孔洞出现，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差的问题。本专利技术实施例提供了一种无机封装薄膜的制作方法，包括：采用化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；采用原子层沉积工艺，在所述第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。较佳的，形成所述第一无机封装薄膜的材料和形成所述第二无机封装薄膜的材料不同。较佳的，所述第二无机封装薄膜的材料为下列材料之一或组合：氧化铝AL2O3、氧化钛TiO或二氧化硅SiO2。较佳的，所述原子层沉积工艺和所述化学气相沉积工艺的温度为70度-100度。本专利技术实施例还提供了一种OLED封装薄膜的制作方法，包括：分别形成交替设置的有机封装薄膜和无机封装薄膜；其中，所述无机封装薄膜采用本专利技术实施例提供的上述方法制作。本专利技术实施例还提供了一种无机封装薄膜，包括：采用化学气相沉积工艺形成的第一无机封装薄膜，以及设置在所述第一无机封装薄膜上、且采用原子层沉积工艺形成的一整层第二无机封装薄膜。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示面板，包括：设置在显示区域的发光器件，以及设置在所述发光器件上、且用于封装所述发光器件的封装薄膜；其中，所述封装薄膜包括交替设置的有机封装薄膜和本专利技术实施例提供的上述无机封装薄膜。较佳的，所述第二无机封装薄膜的厚度为0.03微米-0.1微米。较佳的，所述无机封装薄膜的厚度不大于0.5微米。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述OLED显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术在制作无机封装薄膜时，采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分别制作两层无机封装薄膜，相比于仅采用化学气相沉积工艺制作的无机封装薄膜，原子层沉积工艺成膜单位微小，膜层的致密性更高，因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力，改善了封装的效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的无机封装薄膜制作方法的步骤流程图；图2为本专利技术实施例提供的无机封装薄膜的结构示意图；图3a为本专利技术实施例提供的第一种OLED封装薄膜的结构示意图；图3b为本专利技术实施例提供的第二种OLED封装薄膜的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。其中，附图中各个膜层的厚度和形状不反映其真实比例，目的只是示意说明本专利技术的内容。本专利技术实施例提供的无机封装薄膜的制作方法，不再仅采用化学气相沉积工艺制作的无机封装薄膜，而是采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分别制作两层无机封装薄膜，由于原子层沉积工艺成膜单位微小，膜层的致密性更高，因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力，改善了封装的效果。下面对本专利技术实施例提供的蒸镀方法进行详细的说明。如图1所示，为本专利技术实施例提供的无机封装薄膜制作方法的步骤流程图，具体可以采用如下步骤实现：本专利技术实施例提供了一种无机封装薄膜的制作方法，包括：步骤101，采用化学气相沉积化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；步骤102，采用原子层沉积原子层沉积工艺，在第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。在具体实施时，如图2所示，为本专利技术实施例提供的无机封装薄膜的结构示意图；图中在待封装器件201上形成有无机封装薄膜202，该无机封装薄膜202包括第一无机封装薄膜2021和第二无机封装薄膜2022。具体的，由于第一无机封装薄膜2021采用化学气相沉积工艺制作，无机膜层致密性偏差，甚至会有细微孔洞2023出现，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差，而在第一无机封装薄膜上，采用原子层沉积工艺形成第二无机封装薄膜2022，原子层沉积工艺成膜单位微小，膜层的致密性更高，因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞2023，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力，改善了封装的效果。其中，为了使无机封装薄膜的封装效果更佳，需要在第一无机封装薄膜上，形成一整层的第二无机封装薄膜，进而可以使其更好的填补第一无机封装薄膜的细微孔洞缺陷，同时，也不会因为形成段差而影响封装效果。在具体实施时，由于不同无机材料，其成膜的致密性、绝缘性以及隔阻水氧的能力不同，而且采用不同的制作工艺，对制作材料的要求也不相同，因此，上述无机封装薄膜中的第一无机封装薄膜和第二无机封装薄膜可以根据实际制作要求选取制作材料。较佳的，形成第一无机封装薄膜的材料和形成第二无机封装薄膜的材料不同。而考虑到原子层沉积工艺的要求，具体的，第二无机封装薄膜的材料为下列材料之一或组合：氧化铝AL2O3、氧化钛TiO或二氧化硅SiO2。第一无机封装薄膜的材料则可以任意选取化学气相沉积工艺能够制作、且能够隔阻水氧的无机材料，在此不做限定。在具体实施时，由于OLED要求只能进行低温工艺，较佳的，原子层沉积工艺和化学气相沉积工艺的温度为70度-100度。而化学气相沉积高温成膜致密性比较好，低温成膜时，形成的无机膜层致密性偏差，更容易有细微孔洞出现，因而配合原子层沉积工艺制作的第二无机封装薄膜，可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力，改善无机封装薄膜的封装效果。实际上，在具体实施时，也可以仅采用原子层沉积工艺制作一层无机封装薄膜，但是由于原子层沉积工艺成膜速率较慢，很难满足量产需求，因而一般采用上述化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无机封装薄膜的制作方法，其特征在于，包括：采用化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；采用原子层沉积工艺，在所述第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种无机封装薄膜的制作方法，其特征在于，包括：采用化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；采用原子层沉积工艺，在所述第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一无机封装薄膜的材料和形成所述第二无机封装薄膜的材料不同。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二无机封装薄膜的材料为下列材料之一或组合：氧化铝AL2O3、氧化钛TiO或二氧化硅SiO2。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺和所述原子层沉积工艺的温度为70度-100度。5.一种有机发光二极管OLED封装薄膜的制作方法，其特征在于，包括：分别形成交替设置的有机封装薄膜和无机封装薄膜；其中，所述无机封装薄膜采用如权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔富毅，孙泉钦，陈旭，肖昂，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11