薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，其包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上的钝化层。本发明专利技术还提供了一种该薄膜晶体管的制作方法及具有该薄膜晶体管的阵列基板。本发明专利技术通过对栅极绝缘层的表面进行平整化以及在栅极绝缘层的表面形成富氧层，从而使栅极绝缘层的表面平整，并且栅极绝缘层的表面的氧空缺缺陷被改善，进而使栅极绝缘层的表面状态稳定。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
本专利技术属于显示
，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。
技术介绍
在IGZO(铟镓锌氧化物)薄膜晶体管中，由IGZO制作成的有源层生长在栅极绝缘层之上，也就是说栅极绝缘层材料的选择与栅极绝缘层表面的质量对IGZO薄膜晶体管的器件性能有极大影响。目前，IGZO薄膜晶体管的栅极绝缘层普遍采用正硅酸乙酯(TEOS)或二氧化硅(SiO2)制成，其表面平整性较差且表面存在一些氧空缺缺陷，会使其表面状态不稳定，由此，与沉积在其上的IGZO有源层材料间的界面也发生改变。而薄膜晶体管器件的前沟道层就形成在这一界面附近，是薄膜晶体管器件中载流子的传输通道。因此沉积有源层后，在与栅极绝缘层的界面处会形成高浓度的缺陷态，这些缺陷态会俘获载流子而降低载流子的迁移率，使器件的特性变得不稳定，从而造成器件反向电流加大或击穿电压降低。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种能够改善栅极绝缘层表面特性的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。根据本专利技术的一方面，提供了一种薄膜晶体管，其包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上的钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上的钝化层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理的具体方法包括：所述栅极绝缘层的表面被质量百分比为0.5％～2％的氢氟酸处理30s～120s。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的表面被20PPM～30PPM的臭氧水处理60s～90s，以形成在所述栅极绝缘层上的富氧层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层由铟镓锌氧化物制成。5.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；权利要求1至4中的任一项所述的薄膜晶体管，设置于所述基板上；在所述薄膜晶体管的钝化层上的像素电极，所述钝化层中具有暴露出所述漏极的过孔，所述像素电极通过所述过孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李子然，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44