半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。在本说明书中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性工作的装置，并且，电光装置、半导体电路及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜形成晶体管的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于电子设备诸如集成电路（IC）或图像显示装置（显示装置）。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜的材料，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。例如，已公开有晶体管的活性层包括包含铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的非晶氧化物（参照专利文献1）。包含氧化物半导体的晶体管具有优越于包含非晶硅的晶体管的导通态特性的导通态特性（例如导通态电流（on-statecurrent））。为了将包含氧化物半导体的晶体管应用于高功能装置，这种晶体管需要具有进一步提高的特性，因此不断研发氧化物半导体的晶化技术（专利文献2）。在专利文献2中公开了通过对氧化物半导体进行热处理来实现晶化的技术。[参考][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开2006-165528号公报；[专利文献2]日本专利申请公开2008-311本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜；电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；栅电极；以及所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0at.％以下，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧连续地减小的区域，并且所述氧化物半导体膜包含结晶部。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2156821.一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜；电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；栅电极；以及所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0at.％以下，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧连续地减小的区域，并且所述氧化物半导体膜包含结晶部。2.一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜；电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；栅电极；以及位于所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0at.％以下，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧连续地减小的区域，并且所述氧化物半导体膜包含结晶部。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘膜包括含有硅的氧化物。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田达也，津吹将志，野中裕介，岛津贵志，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP