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本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括：在基板上的栅极；在所述基板和所述栅极上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的表面被进行平整化处理；在所述栅极绝缘层上的富氧层；在所述富氧层上的有源层；在所述有源层上的源极和漏极；在所述有源层、所述源极和所述漏极上...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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