一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构及工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构及工艺，与常规的WLCSP工艺一样，首先在晶圆正面完成金属凸点制备；按照最终TVS产品的结构对晶圆进行切割制备空隙，切割时控制空隙的深度，不能将晶圆切透；从晶圆正面向下完成第一次塑封，覆盖切割所得到的空隙；从晶圆正面进行晶圆减薄，保证电极露出来；如果需要电极高于塑封表面，在金属凸点出进行一次植球或者镀层工艺；从晶圆背面进行晶圆减薄，减薄至最终TVS产品的尺寸要求；对晶圆背面进行塑封，完成对晶圆背面的保护；沿着空隙的中心进行切割，割透，完成芯片的分离。本发明专利技术工艺流程简单，工艺控制要求不高，可将成品的厚度控制得特别薄。

【技术实现步骤摘要】
一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构及工艺
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种用于超小封装TVS产品的WLCSP六面塑封的结构及工艺。
技术介绍
WLCSP(晶圆片级芯片规模封装)技术作为一种新型的封装技术，已经在很多产品中实现了量产。该工艺的最大特点是不需要leadframe来固定芯片，也不需要wirebonding等连接手段。而是直接在waferlevel上工艺pillar，pillar的材质可以是金、铜或者合金材料等。然后通过wafersort直接实现芯片编测。与传统的封装工艺相比，WLCSP工艺有工艺流程简单、步骤少、成本低、生产效率高等优势。特别是不需要使用leadframe，所以芯片尺寸和形状可以有更大的自由度，便于实现传统封装难以实现的超高性能。常规的WLCSP封装一般不在产品中使用塑封保护，或者只是在封装体的上下两个表面使用塑封保护。很难实现在侧边绝缘保护。然而，在超小封装TVS产品中，比如DFN1006、DFN0603甚至是DFN0402的应用中，发现在SMT贴片生产时，由于大多数SMT设备对于焊料的控制精度问题，以及机械手臂或者人工抓取芯片时的控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构，其特征在于，包括晶圆层，所述晶圆层的一侧面上制备有金属凸点，取相邻金属凸点作为一对，所述晶圆上每一对金属凸点的四周切割有空隙，所述空隙为具有长方形截面的沟槽，空隙的深度不大于所述晶圆层的高度。

【技术特征摘要】
1.一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的结构，其特征在于，包括晶圆层，所述晶圆层的一侧面上制备有金属凸点，取相邻金属凸点作为一对，所述晶圆上每一对金属凸点的四周切割有空隙，所述空隙为具有长方形截面的沟槽，空隙的深度不大于所述晶圆层的高度。2.一种实现TVS芯片WLCSP六面塑封的工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)与常规的WLCSP工艺一样，首先在晶圆正面完成金属凸点制备；(2)按照最终TVS产品的结构对晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，余晓明，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31