放大器制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接，该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。

【技术实现步骤摘要】
放大器
本专利技术涉及一种对信号进行放大的放大器。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种放大器，该放大器在封装件内设置FET芯片和匹配基板，由键合线实现电连接。专利文献1：日本特开2001－148616号公报近年来，放大器存在高输出化的趋势。如果使晶体管高输出化，则存在下述问题，即，在与晶体管的漏极焊盘连接的键合线中流过大电流，该键合线熔断。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制键合线的熔断的放大器。本专利技术所涉及的放大器具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于该封装件中；以及多条漏极键合线，其与该漏极焊盘连接；该多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与该漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与该漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在该第1最外键合线和该第2最外键合线之间，该多条漏极键合线比1mm长，该第1最外键合线和该第2最外键合线的线环高度比该中间键合线的线环高度高。本专利技术所涉及的其他放大器的特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接；所述多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与所述漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与所述漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在所述第1最外键合线和所述第2最外键合线之间，所述多条漏极键合线比1mm长，所述第1最外键合线和所述第2最外键合线的线环高度比所述中间键合线的线环高度高。

【技术特征摘要】
2015.09.16 JP 2015-1824461.一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接；所述多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与所述漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与所述漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在所述第1最外键合线和所述第2最外键合线之间，所述多条漏极键合线比1mm长，所述第1最外键合线和所述第2最外键合线的线环高度比所述中间键合线的线环高度高。2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第1最外键合线和所述中间键合线的线环高度差小于或等于0.8mm，所述第2最外键合线和所述中间键合线的线环高度差小于或等于0.8mm。3.根据权利要求1或2所述的放大器，其特征在于，所述第1最外键合线和所述第2最外键合线比所述中间键合线粗。4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，所述第1最外键合线和所述第2最外键合线的粗细大于或等于25μm。5.根据权利要求1或2所述的放大器，其特征在于，具有：基板，其设置于所述封装件中；以及金属图案，其形成于所述基板，所述多条漏极键合线将所述漏极焊盘和所述金属图案连接。6.一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接，所述多条漏极键合线具有：第1最外键合线，其与所述漏极焊盘的一个末端部分连接；第2最外键合线，其与所述漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在所述第1最外键合线和所述第2最外键合线之间，所述第1最外键合线和所述第2最外键合线比所述中间键合线粗。7.一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接，所述多条漏极键合线具有：多条第1最外键合线，其以落地点接触的方式与所述漏极焊盘的一个末端部分连接；多条第2最外键合线，其以落地点接触的方式与所述漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其夹在所述多条第1最外键合线和所述多条第2最外键合线之间，所述多条第1最外键合线的线环高度不同，所述多条第2最外键合线的线环高度不同。8.一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接，以与位于所述漏极焊盘的一个末端部分和另一个末端部分之间的中间部分相比，在所述漏极焊盘的所述一个末端部分和所述另一个末端部分，漏极键合线的密度较高的方式，设置所述多条漏极键合线。9.根据权利要求8所述的放大器，其特征在于，在所述一个末端部分和所述另一个末端部分，所述漏极键合线的间隔按照键合线的中心间距离来算为0.03～1mm。10.根据权利要求8或9所述的放大器，其特征在于，与所述一个末端部分连接的第1最外键合线、和与所述另一个末端部分连接的第2最外键合线的线环高度比与所述中间部分连接的多条中间键合线的线环高度高。11.根据权利要求8或9所述的放大器，其特征在于，与所述一个末端部分连接的多条第1最外键合线、和与所述另一个末端部分连接的多条第2最外键合线交错状地连接至所述漏极焊盘。12.根据权利要求11所述的放大器，其特征在于，所述多条漏极键合线中的位于两端的漏极键合线与其他漏极键合线相比线环高度较高。13.一种放大器，其特征在于，具有：封装件；晶体管芯片，其具有栅极焊盘、和细长地形成的漏极焊盘，该晶体管芯片设置于所述封装件中；以及多条漏极键合线，其与所述漏极焊盘连接，所述多条漏极键合线具有：2条第1最外键合线，其与所述漏极焊盘的一个末端部分连接；2条第2最外键合线，其与所述漏极焊盘的另一个末端部分连接；以及中间键合线，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：小坂尚希，今井翔平，冈村笃司，三轮真一，长明健一郎，佐佐木善伸，堀口健一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP