功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率放大器，其包括第一MOS器件等，第一电阻、第一电容都与第一MOS器件的栅极连接，第二电阻、第二电容都与第二MOS器件的栅极连接，第三MOS器件的栅极与第三电阻连接，第四MOS器件的栅极与第四电阻连接，第三MOS器件的漏极、第四MOS器件的漏极与第一电感、第二电感、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容相连；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一电阻与第二电阻串联，第三电阻与第四电阻串联，第五电容、第六电容与变压器的差分端连接，天线与变压器的输出端连接。本实用新型专利技术的电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离远、低功耗以及穿透性高的要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种放大器，特别是涉及一种功率放大器。
技术介绍
物联网目前正在高速膨胀发展，具有非常大的应用市场和丰富的应用场景，比如智能家电，智能灯控，火灾检测等。特别是有些不太容易布线，对人体有危害的地方，或者需要检测的目标物有厚墙阻隔等场景。这些地方并不需要太高的数据速率，往往只是些简单的控制信号的传输和其他的比如温度湿度等数据的传输。但是对检测模块的信号传输距离，穿透性和功耗等有比较高的要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种功率放大器，其电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离远、低功耗以及穿透性高的要求。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种功率放大器，其特征在于，其包括第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、变压器、天线，第一电阻、第一电容都与第一 MOS器件的栅极连接，第二电阻、第二电容都与第二 MOS器件的栅极连接，第三MOS器件的栅极与第三电阻连接，第四MOS器件的栅极与第四电阻连接，第三MOS器件的漏极、第四MOS器件的漏极与第一电感、第二电感、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容相连；第一 MOS器件、第二 MOS器件都接地，第一电阻与第二电阻串联，第三电阻与第四电阻串联，第五电容、第六电容与变压器的差分端连接，天线与变压器的输出端连接。优选地，所述第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都为绝缘栅场效应管。优选地，所述第一电容、第二电容都是隔直电容。本技术的积极进步效果在于:本技术的电路具有复杂度相对较低等特点，正好可以满足传输距离远、低功耗以及穿透性高的要求。【附图说明】图1为本技术功率放大器的工作原理图。图2为本技术功率放大器的原理框图。【具体实施方式】下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。如图1所示，第一下变频混频器102、第二下变频混频器103都与功率放大器101连接，第一下变频混频器102、第二下变频混频器103还都与合成器104连接。如图2所示，本技术功率放大器包括第一 MOS器件201、第二 MOS器件202、第三MOS器件203、第四MOS器件204、第一电感205、第二电感206、第一电容207、第二电容208、第一电阻209、第二电阻210、第三电阻211、第四电阻212、第三电容213、第四电容214、第五电容215、第六电容216、变压器217、天线218，第一电阻209、第一电容207都与第一 MOS器件201的栅极连接，第二电阻210、第二电容208都与第二 MOS器件202的栅极连接，第三MOS器件203的栅极与第三电阻211连接，第四MOS器件204的栅极与第四电阻212连接，第三MOS器件203的漏极、第四MOS器件204的漏极与第一电感205、第二电感206、第三电容213、第四电容214、第五电容215、第六电容216相连；第一 MOS器件201、第二 MOS器件202都接地，第一电阻209与第二电阻210串联，第三电阻211与第四电阻212串联，第五电容215、第六电容216与变压器217的差分端连接，天线218与变压器217的输出端连接。第一电容207、第二电容208都是隔直电容。第一 MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都为绝缘栅场效应管。第一 MOS器件201的栅极、第二 MOS器件202的栅极分别通过第一电阻209、第二电阻210连接到第一偏置电压VBO上；第三MOS器件203的栅极、第四MOS器件204的栅极分别通过第三电阻211、第四电阻212连接到第二偏置电压VBl上。第一电感205、第二电感206、第三电容213、第四电容214通过合理取值后使其谐振点位于相应的工作频段。第一交流电压信号RFINP、第二交流电压信号RFINN通过第一电容207、第二电容208后加到第一 MOS器件201的栅极、第二 MOS器件202的栅极上并转换成电流信号，交流电流信号通过第三MOS器件203的漏极、第四MOS器件204的漏极输出到片外，通过第一电感205、第二电感206、第三电容213、第四电容214组成的谐振网络后转换为电压信号，再通过变压器输出到天线，并辐射到空中。此电路设计所需器件少，结构简单，设计复杂度相对较低，由于采用外部电感器件，具有较高的应用灵活性，可获得相对较高的漏端效率，节省芯片面积，同等输出功率的情况下可节省功耗以满足低功耗的要求。本技术面向的工作频段为小于IGHZ的315MHz，868MHZ，900MHz等开放免授权频段，此频段射频信号相对于大于IGHZ的面授权频段具有更高的穿透性。本技术功率放大器适用于射频单片集成电路领域，具有高漏端效率，面积低，易于集成等特点。本技术功率放大器主要用于射频集成芯片发射机最后一级功率放大，把射频信号通过射频天线以一定功率发射到空中，属于射频芯片关键模块，对射频信号的传输距离、穿透性等起非常关键的作用。以上所述的具体实施例，对本技术的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种功率放大器，其特征在于，其包括第一 MOS器件、第二 MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、变压器、天线，第一电阻、第一电容都与第一 MOS器件的栅极连接，第二电阻、第二电容都与第二 MOS器件的栅极连接，第三MOS器件的栅极与第三电阻连接，第四MOS器件的栅极与第四电阻连接，第三MOS器件的漏极、第四MOS器件的漏极与第一电感、第二电感、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容相连；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一电阻与第二电阻串联，第三电阻与第四电阻串联，第五电容、第六电容与变压器的差分端连接，天线与变压器的输出端连接。2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件都为绝缘栅场效应管。3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容、第二电容都是隔直电容。【专利摘要】本技术公开了一种功率放大器，其包括第一MOS器件等，第一电阻、第一电容都与第一MOS器件的栅极连接，第二电阻、第二电容都与第二MOS器件的栅极连接，第三MOS器件的栅极与第三电阻连接，第四MOS器件的栅极与第四电阻连接，第三MOS器件的漏极、第四MOS器件的漏极与第一电感、第二电感、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容相连；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一电阻与第二电阻串联，第三电阻与第四电阻串联，第五电容、第六电容与变压器的差分端连接，天线与变压器的输出端连接。本技术的电路具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，其特征在于，其包括第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件、第四MOS器件、第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、变压器、天线，第一电阻、第一电容都与第一MOS器件的栅极连接，第二电阻、第二电容都与第二MOS器件的栅极连接，第三MOS器件的栅极与第三电阻连接，第四MOS器件的栅极与第四电阻连接，第三MOS器件的漏极、第四MOS器件的漏极与第一电感、第二电感、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容相连；第一MOS器件、第二MOS器件都接地，第一电阻与第二电阻串联，第三电阻与第四电阻串联，第五电容、第六电容与变压器的差分端连接，天线与变压器的输出端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙响，姬晓鹏，缑刚，孙志军，王芳芳，邢旭祥，梁嘉伟，赵洪金，周少松，但建华，王明辉，周利杰，黄发前，吴翔，张韬，
申请(专利权)人：上海蜂电网络科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31