用于提供用于极紫外线光刻工艺的非对称光瞳配置的方法技术

本发明专利技术的实施例提供用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供一种集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置(也被称为照射模式)；选择的配置为非对称的单极配置。确定使用选定配置所模拟的部件的图案的成像与部件的图案的设计的成像之间的至少一种差别；然后修改参数(也被称为补偿参数)以解决至少一种差别，其中该参数为设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；然后使用选定的配置和修改的参数将衬底暴露至部件的图案。

【技术实现步骤摘要】
用于提供用于极紫外线光刻工艺的非对称光瞳配置的方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地涉及用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数型增长。IC材料和设计的技术进步产生了数代IC，其中，每一代都具有比先前时代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，随着几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的元件(或线))减小，功能强度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大。该按比例缩小工艺通常因提高生产效率和降低相关成本而提供益处。这样的成比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂程度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似的发展。例如，对实施更高分辨率的光刻工艺的需求增大。一种光刻技术是极紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多电子束无掩模光刻。EUVL使用扫描器，该扫描器使用极紫外线(EUV)区中的光。EUV扫描仪在形成在反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收体)上提供期望的图案。对于EUV辐射，所有材料都具有高吸收率。因此，使用反射光学而不是折射光学；还使用反射掩模。期望实施具有更高图像对比度、同时准确地反映包括将图案放置在目标衬底上的设计要求的EUV工艺。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置，其中，所述配置为非对称的单极配置；确定所述部件的图案的模拟成像与所述部件的图案的设计成像之间的至少一种差别；修改参数以解决所述至少一种差别，其中，所述参数是设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；以及使用选择的所述配置和修改的所述参数使衬底暴露至所述部件的图案。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种方法，包括：模拟用于集成电路的部件的图案的极紫外(EUV)光刻工艺，其中，所述模拟包括限定非对称的单极照射模式；确定对所述部件的图案的所述模拟与所述部件的图案的设计之间的至少一种差别，其中，所述至少一种差别为图案移位、最佳焦点移位以及散焦图案移位中的至少一种；以及修改所述EUV光刻工艺的参数或所述部件的图案的参数以减小所述至少一种差别。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种方法，包括：选择极紫外波长辐射束的照射模式，其中，所述照射模式是非对称配置；确定使用所述非对称配置曝光的图案与设计数据限定的相关图案之间的至少一种差别，其中，所述至少一种差别为图案移位、最佳焦点移位、以及散焦图案移位中的一种；确定补偿参数以减轻所述至少一种差别，其中，所述确定包括应用至少一个模型和规则以选择所述补偿；以及使用选择的所述照射模式和所述补偿参数将衬底暴露至所述部件的图案。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本专利技术的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。图1是根据本专利技术的多个实施例的方面的光刻工艺的流程图。图2是根据本专利技术的方面的示例性集成电路图案的示意图的实施例。图3是根据本专利技术的方面的辐射束在入射掩模时的示意性截面图的实施例。图4A、4B、4C、4D是根据在一个或多个实施例中的本专利技术的各方面的提供的光瞳的照射模式的各种示例性实施例的示意性俯视图。图5是根据本专利技术的各方面的对应的照射模式的空间成像的图形表示的实施例。图6是示出了根据本专利技术一个或多个方面的用于提供补偿参数的方法的实施例的流程图。图7、8A、8B、9A和9B是关于图1的方法的实施例的差别问题和/或补偿参数的图形说明。图10A是根据本专利技术的各方面的不同间距下的散焦图案移位的实施例的图形说明。图10B是根据一些实施例的在选定间距下散焦图案移动的实施例的图形说明。图10C是示出了根据本专利技术的一些方面的对于给定的光瞳配置，基于图案密度的反射的表格的实施例。图10D和10E示出了根据本专利技术的各方面用以改变光的散射的补偿参数应用的实施例。图11是示出了根据本专利技术各方面对衬底实施光刻曝光工艺的实施例的流程图。图12是示出了用于实施本专利技术中包括图11的方法的各方面的光刻系统的实施例的框图。图13是示出了用于实施包括图1和图6的方法的本专利技术的那些方面的计算机系统的实施例的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。在下面描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本专利技术。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。参照图1，示出了用于实施光刻工艺以在衬底上成像图案的方法100。应当注意，方法100包括将图案成像到衬底上的步骤，但是在其他的实施例中，不要求该步骤。例如，方法100的实施例可确定与图案相关的光刻和/或设计的参数或特征，可存储或保存这些参数以用于随后成像工艺中的实施。相似地，方法100可包括此处未具体示出的其他步骤；和/或可以不同于在方法100的流程图中具体描述的顺序实施示出的步骤。该方法100可用于确定参数和/或使用所述参数对半导体器件(诸如集成电路(IC))实施光刻。然而，本领域中的技术人员将意识到，其他器件，诸如，发光二极管(LED)、微机电系统(MEMS)和/或包括或不包括IC的其他器件，也可得益于本专利技术并且在本专利技术的范围内。该方法100还针对限定和/或实施极紫外辐射光刻(EUVL)工艺。EUV辐射(也称为EUV光)包括具有在约1纳米(nm)至约100nm范围内的波长的辐射。在一个具体实例中，EUVL使用具有波长集中在大约13.5nm的光。(应当注意，正如本领域中的普通技术人员所理解的，在本专利技术中，就使用的数值或数值范围而言，这些数值或数值范围包括在一定范围内的相较于额定值的偏差，额定值通常是相应的器件制造步骤和/或系统操作中受控的参数。)然而，方法100还可应用于具有其他波长(例如，深UV(DUV)光刻工艺、X射线(例如，软X射线)光刻工艺)的目前已知或随后开发的其他光刻工艺。方法100开始于框102，其中，提供图案。该图案可为集成电路(IC)的一部分，并且包括例如使用单次光刻工艺(例如，设置在单个掩模上)将形成的部件。参照图2的实例，示出了包括多个主要部件(主要多边形)202的图案200。没有主要图案的剩余区域称为场204。主要多边形是IC部件或IC部件的一部分，该主要多边形的图案将被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置，其中，所述配置为非对称的单极配置；确定所述部件的图案的模拟成像与所述部件的图案的设计成像之间的至少一种差别；修改参数以解决所述至少一种差别，其中，所述参数是设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；以及使用选择的所述配置和修改的所述参数使衬底暴露至所述部件的图案。

【技术特征摘要】
2016.02.10 US 15/040,0491.一种用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置，其中，所述配置为非对...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟家峻，陈家桢，石志聪，陈政宏，游信胜，严涛南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71