用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于基于预定的掩模结构生成晶片结构的光刻工艺的仿真的方法，包括以下步骤：提供掩模的包含掩模结构的区域的空间像；预定强度范围；对于强度范围内的不同阈值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构；对于辅助晶片结构或可能的晶片结构中的每一个，确定结构元件的数量；确定稳定性范围，所述稳定性范围由来自用于确定辅助晶片结构或可能的晶片结构的阈值的连续阈值组成，在稳定性范围内，辅助晶片结构或可能的晶片结构的结构元件的数量保持不变或在预定范围内；基于空间像和稳定性范围内的阈值确定晶片结构。本发明专利技术还涉及一种用于执行该方法的显微镜。

【技术实现步骤摘要】
用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置
本专利技术涉及用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置，所述方法和装置基于具有预定结构的掩模的空间像。
技术介绍
为了生产半导体，硅晶片涂覆有光敏胶(其被称为抗蚀剂)。待设置在晶片上的结构形成在掩模(光掩模或掩模母版)上，并借助于光刻扫描机通过曝光作为图像投射到抗蚀剂的光敏层中。使用显微镜来检查掩模的缺陷。这些显微镜设计为使得所记录的空间像与通过扫描机在晶片上产生的图像的精度相当。这些显微镜也称为掩模检查显微镜。使用掩模检查显微镜允许掩模被检查(掩模复查)，而不需要执行晶片的曝光来检查掩模。掩模检查显微镜用于记录掩模的区域的空间像。为了调研掩模结构的行为，可以基于预定的结构来仿真掩模的空间像。用于空间像的仿真的相对应的计算机程序是已知的。为了从掩模的空间像获得在晶片上获得的预期结构，必须仿真抗蚀剂、光敏层的对比度增强效果。这通过固定强度阈值(以下简称为阈值)并将该阈值应用于空间像从而以简单的方式实现。阈值可以被指定为空间像的最大强度值的比例。该方法在下文中称为阈值法。这里所讨论的阈值在很好的近似上是剂量的度量。如果掩模在扫描机中用于曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基于预定掩模结构生成晶片结构的光刻工艺的仿真的方法，包括以下步骤：‑提供掩模的包含所述掩模结构的区域的掩模空间像，‑预定强度范围，‑对于所述强度范围内的不同阈值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构，‑对于所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构中的每一个，确定结构元件的数量，‑确定稳定性范围，所述稳定性范围由来自用于所述确定辅助晶片结构或可能的晶片结构的各阈值的连续阈值组成，在所述稳定性范围内，所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构的结构元件的数量保持不变或在预定范围内，‑基于所述空间像和所述稳定性范围内的阈值，确定所述晶片结构。

【技术特征摘要】
2016.02.08 DE 102016201831.01.一种用于基于预定掩模结构生成晶片结构的光刻工艺的仿真的方法，包括以下步骤：-提供掩模的包含所述掩模结构的区域的掩模空间像，-预定强度范围，-对于所述强度范围内的不同阈值，确定辅助晶片结构或可能的晶片结构，-对于所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构中的每一个，确定结构元件的数量，-确定稳定性范围，所述稳定性范围由来自用于所述确定辅助晶片结构或可能的晶片结构的各阈值的连续阈值组成，在所述稳定性范围内，所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构的结构元件的数量保持不变或在预定范围内，-基于所述空间像和所述稳定性范围内的阈值，确定所述晶片结构。2.根据权利要求1所述的方法，包括以下步骤：-将落在所述稳定性范围内或中间的目标阈值确定作为阈值。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中通过由显微镜记录或从所述掩模的所述区域的结构的预定仿真来确定所述空间像。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述晶片结构或所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构的从所述空间像的确定包括基于所述阈值或所述目标阈值将所述空间像细分为第一区域和第二区域。5.根据权利要求4所述的方法，其中如果所述空间像的强度值大于所述阈值或所述目标阈值，将所述空间像的位置分配为所述第一区域，而如果所述强度值小于所述阈值或所述目标阈值，将所述空间像的位置分配为所述第二区域。6.根据权利要求5所述的方法，其中将透明或反射结构元件形成为所述第一区域的相连区域，并且将非透射或吸收结构元件形成为所述第二区域的相连区域。7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，包括以下步骤：-基于所述空间像和所述目标阈值，从晶片的光敏层的曝光和显影的仿真确定所述晶片结构。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，包括以下步骤：-修剪所述空间像的周边区域，切割边缘被选择为，沿所述切割边缘所述强度的波动在预定范围内，此步骤在确定所述结构元件的数量之前进行。9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中对于至少50或40或30个不同阈值，确定所述辅助晶片结构或所述可能的晶片结构。10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中对于所述掩模结构确定多个稳定性范围。11.根据权利要求10所述的方法，包括以下步骤：-从所述多个稳定性范围，确定优选的稳定性范围，将其中所述晶片结构具有最大数量或预定数量的结构元件或包括强度的最大范围的稳定性范围选为所述优选的稳定性范围。12.根据权利要求10所述的方法，包括以下步骤：-从所述多个稳定性范围确定优选的稳定性范围，将其中最接近于或大于或小于所述透明结构元件的数量与所述非透射结构元件的数量的预定比例的稳定性范围选为所述优选的稳定性范围。13.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中对于至少两个稳定性范围，确定所述结构元件中的至少一个的结构类型，将所确定的结构类型对应于预定结...

【专利技术属性】
技术研发人员：HM索洛万，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE