一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜；该制备方法克服了当前技术中键合体是不同材质退火时产生的形变。

【技术实现步骤摘要】
一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法
本专利技术涉及半导体材料和光电材料
，具体说是一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法。
技术介绍
钽酸锂单晶薄膜和铌酸锂单晶薄膜拥有非常广阔的应用前景，可以广泛的应用在光信号处理、信息存储、电子器件等领域。使用钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜作为基础材料，不仅在制作高频、高带宽、高集成度、大容量、低功耗的光电子学器件和集成光路等方面具备独特的优势，极大的扩充光通讯系统的传输能力和集成度，而且还可被应用在制作滤波器，光波导调制器、光波导开关、空间光调制器和光学倍频器、表面声波发生器、红外探测器、铁电体存储器等方面，带来极大的经济效益和社会效益。以硅材料作为基底材料制备钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜，可移植已经成熟的硅材料生产工艺和经验，实现钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜更高的可加工性和更广的应用范围。现有的制备硅基钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜具有明显优势的方法是直接键合制备技术，因为该技术不仅能够很好的保持体材料的特性，而且薄膜和硅基底的键合界面清晰。但是采用这种工艺制备的硅基钽酸锂/铌酸锂单晶薄膜，需要对键合体进行退火处理以增强其键合力，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，其特征在于，包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，其特征在于，包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。2.根据权利要求1所述的微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，其特征在于，硅基底的厚度为300~1000μm，钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜的厚度为1~100μm。3.根据权利要求2所述的微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，其特征在于，硅基底的薄膜厚度是钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜的厚度的十倍。4.权利要求1所述的微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供原始基板，并对原始基板进行表面抛光和清洗，以获得能够进行直接键合工艺的光滑原始基板工艺面；所述的原始基板为单晶钽酸锂或单晶铌酸锂；②提供目标基板，并对目标基板进行表面抛光和清洗，以获得能够进行直接键合工艺的光滑目标基板工艺面；所述的目标基板为硅基板；③利用直接键合法，将步骤①所得光滑原始基板工艺面和步骤②所得光滑目标基板工艺面接触键合，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37