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本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上...
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