The present invention provides a high volume resistivity of 1 * 10 without requiring a decompression step
【技术实现步骤摘要】
钽酸锂单晶基板的制造方法
本专利技术涉及在表面弹性波元件中使用的钽酸锂单晶基板的制造方法。
技术介绍
钽酸锂(LiTaO3；LT)单晶，具有压电性，被作为弹性表面波元件的压电基板使用。另一方面，钽酸锂单晶也具有热电性，温度发生变化，表面电荷发生。这样的热电性，在作为传感器利用的场合虽然存在，但是，在将钽酸锂结晶作为弹性表面波元件的压电基板使用的场合，该热电性会成为问题。例如，在由于温度变化压电基板带电的场合，在压电基板内发生静电放电，会成为破裂以及断裂的原因。此外，在压电基板的表面形成的电极有可能会由于静电而短路。因此，作为对钽酸锂基板的带电进行抑制的目的，认为钽酸锂基板要在居里温度以下的温度进行还原处理，这一方法被广泛利用(专利文献1～5以及非专利文献1参照)。例如，专利文献1中，记载了在还原性氛围中与金属蒸气一起进行热处理的方法，在专利文献2中，记载了在还原性氛围中，在居里温度以上使还原处理的物质接触而进行热处理的方法。此外，在专利文献3以及4中，埋入Al和Al2O3的混合粉末中进行热处理的方法。由此，这样的还原处理了的钽酸锂基板的体积电阻率为，1×1012Ω...
【技术保护点】
一种钽酸锂单晶基板的制造方法，所述钽酸锂单晶基板的体积电阻率为1×10
【技术特征摘要】
2016.01.07 JP 2016-0015061.一种钽酸锂单晶基板的制造方法，所述钽酸锂单晶基板的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上，1×1012Ω·cm未满，其特征在于，包括体积电阻率为1×1012Ω·cm以上，并且将单区域构造的钽酸锂单晶基板在常压下，氢氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第一工序和，将在该第一工序处理的钽酸锂单晶基板，与碳酸锂一起，常压下，氢或氮氛围中，400℃以上，居里温度以下的温度进行热处理的第二工序。2.根据权利要求1的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，使所述体积电阻率为1×1012Ω·cm以上，并且单区域构造的钽酸锂单晶基板，与在还原性气氛围中，居里温度以上的温度热处理的多区域构造的...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿部淳，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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