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三嵌段反应型相容剂及其制备方法技术

技术编号:16028733 阅读:196 留言:0更新日期:2017-08-19 10:24
本发明专利技术揭示了一种三嵌段反应型相容剂及其制备方法,该相容剂包含三部分:一是与聚合物共混体系中的一相能相容的链段,二是能与聚合物共混体系中的另一相反应生成共聚物的反应官能团,三是与聚合物共混组分均不相容的链段。由于这种相容剂存在与聚合物共混组分均不相容的链段,相容剂不仅很容易达到界面发生反应,而且能够将所形成的共聚物稳定在界面,从而减少相容剂的用量。本发明专利技术应用于聚硅氧烷与尼龙熔融共混反应,相容剂比较容易到达界面使末端的氨基能与尼龙反应,生成尼龙‑聚醚‑聚硅氧烷共聚物,且能稳定在界面,减小聚合物之间的界面张力,使反应增容,并能促进聚硅氧烷在尼龙中分散,共混物性能得到有效改善。

【技术实现步骤摘要】
三嵌段反应型相容剂及其制备方法
本专利技术涉及聚合物材料加工领域,特别是一种三嵌段反应型相容剂及其制备方法,该相容剂可应用于制备聚硅氧烷/尼龙共混材料。
技术介绍
聚合物共混是目前制备高性能聚合物材料的重要方法。然而,大多数聚合物之间热力学上是不相容的,容易产生相分离,导致最终的产品性能大幅下降。因此,要获得更多有实用价值的聚合物共混材料,关键问题是要对不相容共混体系进行增容改性,提高分散相和母体之间的界面粘附力,使分散相以微小的粒径分散在母体中。早期改善不相容聚合物之间的相容性主要是通过直接加入共聚物作为相容剂来实现的。但是,这种方法除了合成共聚物比较困难以外,在共混过程中还存在共聚物往往会单独形成胶束而不能有效的到达界面的问题。目前最常用的方法是反应相容技术,也就是在共混过程中通过界面反应原位生成接枝或者嵌段共聚物起到相容作用的。虽然这种方法解决了相容剂到达界面的问题,但是原位生成的共聚物可能会离开界面,导致相容剂的用量较高,影响共混物最终的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的缺陷和不足,提供一种三嵌段反应型相容剂及其制备方法。本专利技术提供的三嵌段反应型相容剂本文档来自技高网...
三嵌段反应型相容剂及其制备方法

【技术保护点】
一种三嵌段反应型相容剂,其特征在于它包含三部分:一是与聚合物共混体系中的一相能相容的链段,二是能与聚合物共混体系中的另一相反应生成共聚物的反应官能团,三是与聚合物共混组分均不相容的链段。

【技术特征摘要】
1.一种三嵌段反应型相容剂,其特征在于它包含三部分:一是与聚合物共混体系中的一相能相容的链段,二是能与聚合物共混体系中的另一相反应生成共聚物的反应官能团,三是与聚合物共混组分均不相容的链段。2.权利要求1所述三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于通过以下步骤制备:(1)制备硅氢封端的聚硅氧烷;(2)通过硅氢加成反应制备环氧基封端的聚硅氧烷;(3)通过环氧官能团与氨基反应,将聚醚接到聚硅氧烷上,形成三嵌段反应型相容剂。3.根据权利要求2所述的三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于:制备步骤(1)是,在氮气保护下,依次将聚硅氧烷单体、硅氢封端的硅氧烷和催化剂加入到反应釜中,进行搅拌反应,最后经甲醇沉降后干燥。4.根据权利要求2所述的三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于:制备步骤(1)当中,原料组成按质量份计包括:聚硅氧烷单体100份,硅氢封端的硅氧烷0.1-8份,催化剂0.01-0.1份。5.根据权利要求3或4所述的三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于:所述聚硅氧烷单体是六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷或十甲基环五硅氧烷。6.根据权利要求3或4所述的三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于:所述硅氢封端的硅氧烷是四甲基二氢基二硅氧烷。7.根据权利要求3或4所述的三嵌段反应型相容剂的制备方法,其特征在于:所述催化剂是酸性阳离子树脂,优选酸白土、磺酸型阳离...

【专利技术属性】
技术研发人员:张才亮王笛吴坤红冯连芳顾雪萍王嘉骏
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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