The invention relates to a vapor deposition device and a vapor deposition system using induction heating. The present invention relates to a vapor deposition device (100) is by induction heating vapor deposition device (100), characterized by comprising a chamber (110) and induction heating part (140), by induction heating part (140) of the source substrate (120) by induction heating, and will be formed in the source substrate (120) on at least one surface of the evaporation material layer (125) evaporated to the object with the substrate surface (130) on the opposite configuration.
【技术实现步骤摘要】
利用感应加热的蒸镀装置以及蒸镀系统
本专利技术涉及一种利用感应加热的蒸镀装置以及蒸镀系统。更为具体地,涉及一种通过利用感应加热的非接触式加热来进行蒸镀,以实现对于大面积基板的蒸镀,并提高蒸镀物质的使用效率和蒸镀膜均匀度的利用感应加热的蒸镀装置以及蒸镀系统。
技术介绍
为了制造平板显示器、半导体元件等,必须进行在基板上蒸镀所需薄膜的工序。平板显示器的制造包括蒸镀有机物或无机物的工序,半导体元件的制造包括蒸镀金属的工序。使用有机物的元件有液晶显示装置(LCD:LiquidCrystalDisplay)、有机电致发光显示装置(OELD:OrganicElectroLuminescenceDisplay),使用无机物的元件有等离子显示装置(PDP:PlasmaDisplayPanel)、场发射显示装置(FED:FieldEmissionDisplay)。蒸镀方法大致分为化学蒸镀(CVD:ChemicalVaporDeposition)和物理蒸镀(PVD:PhysicalVaporDeposition)。化学蒸镀利用源气体的化学反应。此外,物理蒸镀利用物理机构,包括真空热蒸镀(evaporation)、离子镀(ion-plating)以及溅镀(sputtering)等。可以根据蒸镀对象的种类及工艺条件选择性地使用这些蒸镀方法,各方法分别需要不同的蒸镀装置。图1示出了现有的蒸镀装置1的概略结构。参照图1,现有的蒸镀装置1包括:腔室2;坩埚3,配置在腔室2的下部,用于收纳蒸镀物质;基板10,因坩埚3被加热而汽化的蒸镀物质5附着在该基板10的表面上;以及掩模4,配置在基板 ...
【技术保护点】
一种蒸镀装置,该蒸镀装置利用感应加热进行蒸镀,其特征在于,包括腔室及感应加热部,通过所述感应加热部对源基板进行感应加热,并将形成在所述源基板的至少一表面上的蒸镀物质层蒸镀到与所述一表面相向配置的对象基板上。
【技术特征摘要】
2015.11.19 KR 10-2015-01624031.一种蒸镀装置,该蒸镀装置利用感应加热进行蒸镀,其特征在于,包括腔室及感应加热部,通过所述感应加热部对源基板进行感应加热,并将形成在所述源基板的至少一表面上的蒸镀物质层蒸镀到与所述一表面相向配置的对象基板上。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述腔室的内部处于真空环境。3.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述源基板的材料是导体或半导体,通过所述感应加热使所述蒸镀物质层汽化,从而蒸镀到所述对象基板上。4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,在所述源基板与所述对象基板之间设置有荫罩。5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,通过湿涂方式形成所述源基板的所述蒸镀物质层。6.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀物质层以构成图案的方式形成在所述源基板上。7.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,在所述源基板与所述蒸镀物质层之间进一步形成有蒸镀图案层。8.根据权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,所述蒸镀图案层的材料是导体或半导体,所述源基板的材料是绝缘体,通过所述感应加热使存在于所述蒸镀图案层上的所述蒸镀物质层汽化,并蒸镀到所述对象基板上。9.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,所述源基板的大小等于或大于所述对象基板的大小。10.一种蒸镀系统,该蒸镀系统利用感应加热进行蒸镀,其特征在于,包括源涂覆装置、蒸镀装置以及搬...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴善淳,李海龙,金荣道,池成勋,洪沅义,
申请(专利权)人:株式会社达文希斯,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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