CMOS‑MEMS结构及其形成方法技术
CMOS MEMS structure and its forming method
The present invention provides a CMOS structure comprising a substrate, a metal layer above the substrate, a sensing structure over the metal layer, and a signal transmitting structure adjacent to the sensing structure. CMOS structure includes a metal layer, a metal layer, a sensing structure above the metal layer, and a sensing structure. The sensing structure comprises a gas removing layer above the metal layer, a patterned gas removing block above the gas layer, and an electrode positioned above the patterned gas removing barrier. Signal transmitting structure, electric connecting electrode and metal layer. The embodiment of the invention relates to CMOS MEMS structure and its forming method.
【技术实现步骤摘要】
CMOS-MEMS结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及CMOS-MEMS结构及其形成方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS)传感器用于包括陀螺仪、加速计或其他传感应用的各种应用。在MEMS传感器周围维持真空区域。使用MEMS传感器生成的信号通过互连结构发送至互补金属氧化物半导体(CMOS)封装件。CMOS封装件使用CMOS封装件上的接合焊盘和MEMS传感器上的接合焊盘之间的共晶接合界面电连接至MEMS传感器。互连结构与MEMS传感器周围的真空区域接触。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上方；传感结构，位于所述金属层上方，所述传感结构包括：除气层，位于所述金属层上方；图案化的除气阻挡件，接近所述除气层的顶面；以及电极，位于所述图案化的除气阻挡件上方；以及信号发送结构，邻近所述传感结构，所述信号发送结构电连接所述电极和所述金属层。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种半导体器件，包括：MEMS，具有第一传感工件；CMOS，具有对应于所述第一传感工件的第一传感结构，所述第一传感结构包括：第一除气层；第一图案...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上方；传感结构，位于所述金属层上方，所述传感结构包括：除气层，位于所述金属层上方；图案化的除气阻挡件，接近所述除气层的顶面；以及电极，位于所述图案化的除气阻挡件上方；以及信号发送结构，邻近所述传感结构，所述信号发送结构电连接所述电极和所述金属层。
【技术特征摘要】
2015.10.15 US 14/883,9081.一种半导体器件，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上方；传感结构，位于所述金属层上方，所述传感结构包括：除气层，位于所述金属层上方；图案化的除气阻挡件，接近所述除气层的顶面；以及电极，位于所述图案化的除气阻挡件上方；以及信号发送结构，邻近所述传感结构，所述信号发送结构电连接所述电极和所述金属层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述除气阻挡件和所述电极包括相同的图案。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：沟槽，贯穿位于所述信号发送结构处的所述除气阻挡件和所述除气层；以及导电衬里，位于所述沟槽的侧壁和底部上方，与所述金属层连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述除气层包括氧化硅。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述除气阻挡件包括氮化硅。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述传感结构包括等于或大于50μm的宽度。...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭荣辉，朱家骅，赖飞龙，林详淇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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