用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入制造技术

一种用于太阳能电池的离子注入的装置和方法。本公开提供了提高的产量，并且修复或消除了SPER退火步骤后的缺陷。利用连续高剂量的注入，衬底被连续注入，造成有效的缺陷累积(即非晶化)，同时可抑制动态的自退火。

Direct current ion implantation for solid phase epitaxial regrowth in solar cell fabrication

A device and method for ion implantation of solar cells. The present disclosure provides improved yield and fixes or eliminates defects after the SPER annealing step. With continuous high dose implantation, the substrate is continuously injected, resulting in effective defect accumulation (i.e. amorphization), while suppressing dynamic self annealing.

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年11月17日、专利技术名称为“用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入”的专利申请201180060732.4的分案申请。相关申请本申请要求2010年11月17日提交的美国临时专利申请61/414588的优先权，通过引用将该临时专利申请的全部内容并入本文。
本专利技术涉及离子注入，尤其是涉及用于在高产量和低缺陷水平下制造太阳能电池的离子注入。
技术介绍
离子注入法被用于半导体的制造已有多年之久。典型的商用装置通常具有离子束，可通过移动离子束、衬底或二者来在该衬底上扫描。在一个例子中，“笔形”波束以x和y方向在衬底的整个表面扫描，而另一个例子使用比该衬底略微宽一些的“带状”射束，使得只在一个方向进行扫描以覆盖整个衬底。除了非常缓慢之外，这两种系统都具有与产生缺陷有关的内在问题。即，从该衬底的单个点来看，来自任何这两种系统的离子注入都是脉冲的，尽管波束是被连续功能的。所以，衬底上的每个点在短时段“看到”离子束，然后“等待”波束的下一次扫描。这将导致局部加热，由于扫描之间的动态自退火，局部加热造成了扩大的缺陷的产生。近来，已提出另一种离子注入的方法，通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用离子注入来制造太阳能电池的方法，包括：将衬底引入离子注入室；产生具有足够大以覆盖所述衬底的整个表面的截面的离子种类的束；将所述离子束引向所述衬底的表面，从而引起以高于1E14离子/cm‑2/秒的剂量率对所述衬底的所述表面的连续离子轰击，由此将离子注入到所述衬底中，同时对所述衬底的层进行非晶化并且防止自退火。

【技术特征摘要】
2010.11.17 US 61/414,5881.一种使用离子注入来制造太阳能电池的方法，包括：将衬底引入离子注入室；产生具有足够大以覆盖所述衬底的整个表面的截面的离子种类的束；将所述离子束引向所述衬底的表面，从而引起以高于1E14离子/cm-2/秒的剂量率对所述衬底的所述表面的连续离子轰击，由此将离子注入到所述衬底中，同时对所述衬底的层进行非晶化并且防止自退火。2.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述衬底进行退火，以使得非晶化的所述层再结晶并且激活注入到所述衬底的所述离子种类。3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用快速热处理执行退火。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述退火在600-1000℃下执行1-20秒。5.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的能量为5-100keV。6.根据权利要求1所述的方法，其中，注入的能量为20-40keV。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剂量率在1E14离子/cm-2/秒到5E16离子/cm-2/秒的范围内。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：沉积封装层；沉积金属化网格；以及使用快速热处理对所述衬底进行退火。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述退火在600-1000℃下执行约1-10秒。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述离子注入的过程之后，并且在不执行退火步骤的情况下，在所述衬底上制作金属化层；以及，在形成所述金属化层之后，对所述衬底进行退火，以同时执行以下操作：对所述金属化层退火、使非晶化的所述层再结晶和激活所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·春，B·阿迪博，
申请(专利权)人：因特瓦克公司，
类型：发明
国别省市：美国;US