晶片加工体以及晶片加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

Wafer processing body and wafer processing method

The invention provides a wafer processing body, which has a wide range of material selection, and the steps of separating and taking out the processed wafer are simple, which can meet the requirements of various operation procedures and can improve the productivity of the thin wafer. To this end, provide a supporting body temporarily laminated with a layer of adhesive material, the adhesive material layer laminated on a temporary wafer processing surface and processing surface has a circuit on the back, which is characterized in that the temporary adhesive material layer includes a first adhesive layer by layer temporarily, on the surface of the wafer the thermoplastic resin layer (A); and second temporary adhesive layer by layer on the first temporary adhesion of thermosetting resin layer on the layer (B); wherein the thermoplastic resin layer (A) soluble in wafer processing after washing solvent (D) and the heat curable resin layer (B) in after heat curing is insoluble in the solvent detergent (D) but will absorb the cleaning solvent (D) and the cleaning solvent (D) penetration occurred.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片加工体以及晶片加工方法，所述晶片加工体可以有效获得薄型晶片(wafer)。
技术介绍
对于实现进一步的高密度、大容量化而言，三维半导体安装是必不可少的。三维安装技术是指以下的半导体制造技术：将一个半导体晶片薄型化，再利用硅通孔(throughsiliconvia，TSV)电极将此半导体晶片接线，并积层成多层。为了实现此项技术，需要以下步骤：对于形成有半导体电路的基板，通过在非电路形成面(又称为“背面”)上进行研削来实现薄型化，并在背面形成包括TSV的电极。以往，在硅基板的背面研削步骤中，在研削面的相反侧粘贴背面保护胶带，以防止研削时的晶片破损。然而，此胶带是将有机树脂薄膜用于基材，具有柔软性，但是强度和耐热性不充分，不适合进行TSV形成步骤和背面上的配线层形成步骤。因此，已提出一种系统，通过将半导体基板隔着粘合层接合于硅、玻璃等支撑体，使它能足以经受得住背面研削、TSV和背面电极形成等步骤。此时重要的是，在将基板接合于支撑体时的粘合层。此粘合层需要能够将基板无缝接合于支撑体，要有足够的耐久性足以经受得住后续步骤，而且最后可以方便地从支撑体上剥离薄型晶片。这样一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工体，是在支撑体上积层有暂时粘合材料层，且在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

【技术特征摘要】
2015.11.27 JP 2015-2313091.一种晶片加工体，是在支撑体上积层有暂时粘合材料层，且在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。2.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述暂时粘合材料层进一步包括第三暂时粘合层，所述第三暂时粘合层由积层于所述支撑体上并且积层于所述热固化性树脂层(B)上的分离层(C)构成，当隔着所述分离层(C)使所述支撑体从所述晶片加工体分离时，所述分离层(C)不会残留在所述热固化性树脂层(B)上。3.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述暂时粘合材料层进一步包括第三暂时粘合层，所述第三暂时粘合层由积层于所述支撑体上并且积层于所述热固化性树脂层(B)上的分离层(C)构成，当隔着所述分离层(C)使所述支撑体从所述晶片加工体分离时，部分或全部所述分离层(C)残留在所述热固化性树脂层(B)上，并且所述分离层(C)可溶于所述洗涤溶剂(D)，或不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。4.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性树脂层(A)包含脂肪族烃类树脂和芳香族烃类树脂中的任1种以上。5.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热固化性树脂层(B)包含硅酮树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂以及酚醛树脂中的任1种以上。6.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述洗涤溶剂(D)是选自脂肪族烃类有机溶剂、芳香族烃类有机溶剂、酮类有机溶剂、醇类有机溶剂、醚类有机溶剂、酯类有机溶剂、胺类有机溶剂、铵类有机溶剂以及有机酸类有机溶剂中的1种以上的有机溶剂；或该有机溶剂与碱类水溶液、酸类水溶液以及水中的任1种以上的混合液。7.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述分离层(C)包含热塑性硅酮类材料、热固化性硅酮类材料、氟类材料、脂肪族烃类材料以及芳香族烃类材料中的任1种以上。8.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述支撑体与所述分离层(C)的粘合力、所述热固化性树脂层(B)与所述分离层(C)的粘合力以及所述分离层(C)的凝聚破坏力中的任1种以上，低于所述热塑性树脂层(A)与所述热固化性树脂层(B)的粘合力。9.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述分离层(C)，根据X射线、紫外线、可见光以及红外线中的任1种、或混合有特定范围的波长的光的面照射、或激光照射，使所述支撑体与所述分离层(C)的粘合力、所述热固化性树脂层(B)与所述分离层(C)的粘合力以及所述分离层(C)的凝聚破坏力中的任1种以上降低。10.一种晶片加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(a)，隔着包括第一暂时粘合层与第二暂时粘合层的暂时粘合材料层，将表面具有电路面并且需加工背面的晶片的表面贴合至支撑体，来制造晶片加工体，所述第一暂时粘合层是由在进...

【专利技术属性】
技术研发人员：田上昭平，菅生道博，加藤英人，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP