A manufacturing method includes strain NMOS devices: providing a semiconductor substrate having a gate structure; a source electrode and a drain electrode formed on a semiconductor substrate on both sides of the gate structure; wherein, after forming the gate structure to form the source and drain before or after the formation of the source drain further includes: through ion implantation, the incorporation of carbon impurity in the semiconductor substrate on both sides of the gate structure; solid phase epitaxy process is performed, the carbon impurity reacts with silicon carbide layer forming strain. The invention also provides a method for manufacturing a strain CMOS device. The strain with high content of silicon carbide layer of carbon in strained MOS device formed by the invention, the stress of epitaxial layer of silicon carbide materials applied to NMOS conductive channel in greatly increased; can effectively increase the carrier mobility, thereby driving the current increases, to enhance the performance of NMOS devices.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种应变N型金属氧化物 半导体器件(NMOS)以及应变互补金属氧化物半导体器件(CMOS)的 制造方法。
技术介绍
应变硅技术可应用于金属氧化物半导体器件的制造工艺中，以提高 形成的金属氧化物半导体器件的性能。例如，在N型金属氧化物半导体 (NMOS )器件的导电沟道中施加张应力(Tensile stress )，可提高该NMOS 的电子迁移率，在P型金属氧化物半导体(PMOS)器件的导电沟道中施 加压应力(Compressive stress )，可才是高空穴的迁移率。在公开号为CN 1941296A公开日为2007年4月4日公开的中国专利申 请文件中，公开了一种应变互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的制造 方法。图1至图4为所述的方法的各步骤相应的结构的剖面示意图。请参考图l， 4是供半导体衬底301，在所述半导体衬底301中形成浅沟 槽隔离区303。在所述半导体衬底301上依次形成栅极电介质层305和栅极 层307。请参考图2，对所述栅极层307进行图案化，形成NMOS器件的栅极 结构401和PMOS器件的栅极结...
【技术保护点】
一种应变ＮＭＯＳ器件的制造方法，包括： 提供具有栅极结构的半导体基底； 在所述栅极结构两侧的半导体基底中形成源极和漏极； 其特征在于，在形成所述栅极结构之后、形成源极和漏极之前，或者在形成所述源极和漏极之后，还包括如下步骤 ： 通过离子注入，在所述栅极结构两侧的半导体基底中掺入碳杂质； 执行固相外延工艺，使所述碳杂质与硅反应，形成应变碳化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴汉明，王国华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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