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一种应变ＮＭＯＳ器件的制造方法，包括：提供具有栅极结构的半导体基底；在所述栅极结构两侧的半导体基底中形成源极和漏极；其中，在形成所述栅极结构之后、形成所述源极和漏极之前，或者在形成所述源极和漏极之后，进一步包括：通过离子注入，在所述栅极结构...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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