【技术实现步骤摘要】
一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置
本技术涉及一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置。
技术介绍
硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。区熔法生长单晶硅是一种重要的方法。区熔法是一种简单的物理过程，在一定的条件下，经过高频区域熔化，然后从籽晶方向引出单晶硅，这种方法就是区熔方法，区熔方法包括以下步骤：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，缩细颈，放肩，等径，投一次夹持，二次夹持，收尾，停炉。现有的夹持装置通过定位孔固定二次夹持块的角度，使其倚靠在二次夹持块档杆上。其缺点在于：无法调节二次夹持块的角度，其衍生的技术缺陷有以下几点：1、生产大直径单晶时，由于受空间所限，单晶与二次夹持针发生剐蹭，放肩失败。2、生产工艺使用小直径反射器时，反射器下端与二次夹持块发生剐蹭，工艺改进无法进行。3、生产工艺使用宽反射器时，反射器下端与二次夹持块发生剐蹭，工艺改进无法进行。综上所述，由于现有夹持装置无法调整二次夹持块的角度，造成工艺改进无法进行。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置，以能够改变二次夹持块的角度，为区熔生产工艺改进提供更宽的延展性。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置，该装置由二次夹持块、二次夹持块定位针、二次夹持块档杆、二次夹持立柱、钢丝及配重块组成；其中，二次夹持块通过二次夹持块定位针连接在二次夹持立柱上，二次夹持块可以二次夹持块定位针为中心旋转；二次夹持块的一端通过钢丝连接配重块；二次夹持块档杆的一端设有偏离轴心位置的偏心挡针，该二次夹持块档杆通过...
【技术保护点】
一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置，该装置由二次夹持块、二次夹持块定位针、二次夹持块档杆、二次夹持立柱、钢丝及配重块组成；二次夹持块通过二次夹持块定位针连接在二次夹持立柱上，二次夹持块可以二次夹持块定位针为中心旋转；二次夹持块的一端通过钢丝连接配重块；其特征在于，二次夹持块档杆的一端设有偏离轴心位置的偏心挡针，该二次夹持块档杆通过锁母固定于二次夹持立柱；配重后二次夹持块倚靠在二次夹持块档杆的偏心挡针上。
【技术特征摘要】
1.一种用于调整区熔炉二次夹持块角度的装置，该装置由二次夹持块、二次夹持块定位针、二次夹持块档杆、二次夹持立柱、钢丝及配重块组成；二次夹持块通过二次夹持块定位针连接在二次夹持立柱上，二次夹持块可以二次夹持块定位针为中心旋转；二次夹持块的一端通过钢丝连接配重...
【专利技术属性】
技术研发人员：付斌，赵晶，李青保，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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