碳化硅前体及其用途制造技术

本发明专利技术提供一种包括共聚物的硅组合物。所述共聚物具有化学式Ｈ－［ＳｉＨ↓［２］ＣＨ↓［２］］↓［ｘｎ］［Ｓｉ（Ｒ↓［１］）ＨＣＨ↓［２］］↓［ｙｎ］［ＳｉＨ（Ｒ↓［２］）ＣＨ↓［２］］↓［ｚｎ］－Ｈ，其中Ｒ↓［１］为甲基、苯基、甲氧基、乙氧基或丁氧基；其中Ｒ↓［２］为烯丙基、炔丙基或乙炔基；且其中ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，条件是ｘ、ｙ和ｚ不是０。本发明专利技术还提供了用于利用上述共聚物来制造基于碳化硅材料的方法和由此制造的物品。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳化硅前体及其使用。本专利技术特别涉及三组分的碳化硅前体。
技术介绍
已知碳硅烷聚合物是碳化硅陶瓷的前体。在Whitmarsh等人的美国专利 5,153，295中说明了碳化硅前体的实例，这里以参引式将该专利的全部内容并入 本文。这些聚合物常常指陶瓷前体聚合物。Whitmarsh等人的文章中所述的聚合 物的特征在于Si-C单元之间的连接都是"首尾"相连，即Si与C相连。作为多种基底形式和材料(包括固体表面、二维或三维纤维坯料(performs )、 纱线、毛毡、编织原料、管孔(tube bores)和预成型部件)的涂覆材料，碳化 硅具有特殊的用途。涂覆材料可以通过各种技术涂覆到基底上，其中首先通过 例如涂抹、喷涂和液体渗透等方法将碳化硅前体组合物涂覆在基底上。然后将 前体组合物固化，如果需要的话，进行热分解形成碳化硅涂层。可以由低分子 量的可气化前体利用化学气相渗透和化学气相沉积在单个步骤或多重渐增步骤 (multiple incremental steps )中形成不同厚度的涂层。碳化硅是公认的具有广泛应用的陶瓷材料，例如电子领域、发动机部件、 低摩擦轴承、热屏障涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅组合物，其包括具有下式的共聚物：　　　　Ｈ－［ＳｉＨ↓［２］ＣＨ↓［２］］↓［ｘｎ］［Ｓｉ（Ｒ↓［１］）ＨＣＨ↓［２］］↓［ｙｎ］［ＳｉＨ（Ｒ↓［２］）ＣＨ↓［２］］↓［ｚｎ］－Ｈ　　　　其中Ｒ↓［１］为甲基、苯基、甲氧基、乙氧基、或丁氧基；　　　　其中Ｒ↓［２］为烯丙基、炔丙基或乙炔基；并且　　　　其中在ｘ、ｙ和ｚ不为０的前提下ｘ＋ｙ＋ｚ＝１。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈琼华，沃尔特J舍伍德，
申请(专利权)人：星火系统公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]