【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及从以下溶液或废液中回收、再生至今都难以利用的废弃SiC、Si或它们的混合微粉的方法(a)在制造SiC微粒时的分级步骤中，含有小于目标粒径的、作为副产物产生的废弃SiC微粒的溶液；(b)在磨削单晶或多晶Si锭或成形件时，含有Si切割微粒的废液；(c)在把SiC作为磨料，用线锯切割单晶或多晶硅制造晶圆、薄片时，含有产生的 SiC、Si微粒的废液浆等。
技术介绍
近年来，碳化硅粉末多用在硅、水晶、SiC、GaAs, GaN等的单晶或多晶基板或玻璃、 陶瓷等的切割、磨削、磨光并进一步制成SiC成形件的原料。该碳化硅粉末通常用传统的艾奇逊法批量反应来制造。艾奇逊法是在向大气开放的U型炉中，中心有纵向放置的石墨电极，在该电极周围堆有半圆锥体状(蒲鋅状)的数mm 数cm的硅砂和碳的混合物，通过在石墨电极中通入的大电流进行加热来制造SiC。该反应(Si&+3C—SiC+2C0)为吸热反应， 只有石墨电极为热源产生高温，在电极周围容易反应，主要生成高温稳定型结晶α-SiC，远离电极的部分未反应，多生成用途相对有限的低温稳定型结晶P-SiC^P a-SiC的混...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：久保田芳宏，大崎浩美，望月正裕，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，信浓电气制炼株式会社，
类型：发明
国别省市：
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