半导体器件及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件，并且具体地涉及通孔和金属布线结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计问题的挑战已经引起了金属布线和连接上布线和下布线的通孔的更紧密布置的发展。具体地，随着通孔和金属布线的尺寸变得更小，接触电阻变得更大，并且电迁移问题变得更加严峻。相应地，需要器件和用于制造高密度通孔和金属布线结构的方法的改进。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成在第一方向上延伸的多条下部导线；在所述多条下部导线上面形成绝缘层；通过在所述绝缘层中形成第一开口并且用导电材料填充所述第一开口来形成多个第一通孔；通过在所述绝缘层中形成第二开口并且用导电材料填充所述第二开口来形成多个第二通孔；形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的并且连接至所述多个第一通孔的多条第一上部导线；以及形成在所述第二方向上延伸的并且连接至所述多个第二通孔的多条第二上部导线，其中：通过单独的图案化操作实施形成所述多个第一通孔和形成所述...
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成在第一方向上延伸的多条下部导线；在所述多条下部导线上面形成绝缘层；通过在所述绝缘层中形成第一开口并且用导电材料填充所述第一开口来形成多个第一通孔；通过在所述绝缘层中形成第二开口并且用导电材料填充所述第二开口来形成多个第二通孔；形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的并且连接至所述多个第一通孔的多条第一上部导线；以及形成在所述第二方向上延伸的并且连接至所述多个第二通孔的多条第二上部导线，其中：通过单独的图案化操作实施形成所述多个第一通孔和形成所述多个第二通孔，在形成所述第一开口以及形成所述第二开口的至少一个中，所述多条...
【技术特征摘要】
2015.12.28 US 62/272,020;2016.03.04 US 15/061,6271.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成在第一方向上延伸的多条下部导线；在所述多条下部导线上面形成绝缘层；通过在所述绝缘层中形成第一开口并且用导电材料填充所述第一开口来形成多个第一通孔；通过在所述绝缘层中形成第二开口并且用导电材料填充所述第二开口来形成多个第二通孔；形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的并且连接至所述多个第一通孔的多条第一上部导线；以及形成在所述第二方向上延伸的并且连接至所述多个第二通孔的多条第二上部导线，其中：通过单独的图案化操作实施形成所述多个第一通孔和形成所述多个第二通孔，在形成所述第一开口以及形成所述第二开口的至少一个中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于至少一个开口中，从而使得至少一个通孔连接所述多条下部导线的至少两条线以及所述多条第一上部导线或所述多条第二上部导线的一条线，所述多条第一上部导线和所述多条第二上部导线在所述第一方向上交替地布置为具有第一间距，以及所述多个第一通孔在所述第一方向上设置为具有第二间距，所述第二间距是所述第一间距的两倍。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第二通孔在所述第一方向上设置为具有所述第二间距。3.根据权利要求2所述的方法，其中：所述多条第一上部导线在所述第一方向上布置为具有所述第二间距，以及所述多条第二上部导线在所述第一方向上布置为具有所述第二间距。4.根据权利要求1所述的方法，其中：通过第一双镶嵌工艺形成所述多个第一通孔和所述多条第一上部导线，以及通过第二双镶嵌工艺形成所述多个第二通孔和所述多条第二上部导线。5.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个第一通孔和所述多个第二通孔具有相同的设计图案，以及所述多个第一通孔在所述第一方向上的平均宽度与所述多个第二通孔在所述第一方向上的平均宽度不同。6.根据权利要求1所述的方法，其中：在形成所述第一开口中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于所述第一开口的至少一个中，从而使得所述多个第一通...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国俨，叶展玮，梁铭彰，赖瑞尧，杨世海，陈盈燕，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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