通孔材料选择和处理制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通孔材料选择和处理
本公开的诸方面涉及半导体器件，尤其涉及在集成电路内路由导电层，诸如中部制程层。背景半导体制造工艺通常被分为三个部分：前端制程（FEOL）、中部制程（MOL）和后端制程（BEOL）。前端制程包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、间隔物和掺杂植入。中部制程包括栅极和端子触点形成。后端制程包括形成互连和电介质层以用于耦合到FEOL器件。可以用使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）来沉积的层间电介质（ILD）材料的镶嵌工艺来制造这些互连。由于芯片设计的增加的密度，半导体电路的这些互连层已变得更小并且更加难以路由。由于用于连接各个互连层的一些材料具有较高的电阻，这会影响这些“通孔”或电路径的定时和/或电阻性质。作为示例，钨常常用于各层之间的通孔。通孔的深度与直径的比率被称为纵横比。钨常常在“单镶嵌”（SD）工艺中被处理，以将钨材料沉积或以其他方式耦合到通孔中。铜常常在“双镶嵌”（DD）工艺中被处理。概述一种半导体互连可包括在第一导电互连层与第一中部制程（MOL）互连层之间的第一导电材料的第一通孔。所述第一MOL互连层在第一级上。所述第一通孔是用...
【技术保护点】
一种半导体互连，包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层与至少第一级上的第一中部制程(MOL)互连层之间，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的；以及第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层与至少第二级上的第二MOL互连层之间，所述第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.09 US 14/274,4701.一种半导体互连，包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层与至少第一级上的第一中部制程(MOL)互连层之间，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的；以及第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层与至少第二级上的第二MOL互连层之间，所述第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。2.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。3.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。4.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。5.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。6.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的电路来选择的。7.如权利要求1所述的半导体互连，其特征在于，所述半导体互连被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。8.一种制造中部制程(MOL)互连的方法，包括：在单镶嵌工艺中制造第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔耦合到第一级上的第一MOL互连层；以及用双镶嵌工艺来制造第二导电材料的第二通孔和第一导电互连层，所述第一导电互连层耦合到所述第一通孔，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料，所述第二通孔耦合到第二级上的第二MOL互连层。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：至少部分地基于所述第二通孔的纵横比来选择所述第二导电材料。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：至少部分地基于所述第一导电互连层与所述第二MOL互连层之间的期望电阻来选择所述第二导电材料。11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的电路来选择的。16.一种制造中部制程(MOL...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·朱，J·J·徐，S·S·宋，K·利姆，Z·王，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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