半导体结构、其制造方法及半导体制造装置制造方法及图纸

根据一些实施例，本发明专利技术提供了一种制造半导体结构的方法。方法包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在第一低k介电层中形成第一和第二金属部件；在第一低k介电层中形成第一沟槽，第一沟槽跨越在第一和第二金属部件之间；对于第一低k介电层的位于第一沟槽中的侧壁执行紫外线(UV)处理；在第一沟槽中形成第一蚀刻停止层；以及在第一蚀刻停止层上沉积第二低k介电层，从而在第一沟槽中形成气隙，本发明专利技术还提供了半导体结构的制造方法及半导体制造装置。

Semiconductor structure, method for manufacturing the same, and semiconductor manufacturing device

According to some embodiments, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor structure. The method includes: forming a first low k dielectric layer over the substrate; the first and second metal parts formed on the first low k dielectric layer; forming a first trench in the first low k dielectric layer, a first trench crossing between the first and second metal parts; the side wall of the first low k dielectric layer at the first trench implementation of ultraviolet (UV) treatment; forming a first etch stop layer in the first trench; and stop layer deposited on the second low k dielectric layer in a first etching, thereby forming a gap in the first trench, the invention also provides a manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor manufacturing apparatus.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、其制造方法及半导体制造装置
本专利技术的实施例一般地涉及半导体
，更具体地，涉及半导体结构和其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步已经增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在集成电路演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常在增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。IC可以包括形成在衬底上的电子组件，诸如晶体管、电容器等。然后，诸如通孔和导线的互连结构形成在电子组件上方以在电子组件之间提供连接并且提供至外部器件的连接。为了降低互连结构的寄生电容，互连结构可以形成在包括低k介电材料的介电层中。在互连结构的形成过程中，可以蚀刻低k介电材料以形成沟槽和通孔开口。然而，低k电介质的蚀刻可以导致对于低k介电材料的损害，这导致泄漏问题。因此，需要一种电路结构及其制造方法以解决上述问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在所述第一低k介电层中形成第一金属部件和第二金属部件；在所述第一低k介电层中形成第一沟槽，所述第一沟槽跨越在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；对所述第一低k介电层的位于所述第一沟槽中的侧壁执行紫外线(UV)处理；在所述第一沟槽中形成第一蚀刻停止层；以及在所述第一蚀刻停止层上沉积第二低k介电层，从而在所述第一沟槽中形成气隙。

【技术特征摘要】
2015.12.29 US 62/272,414;2016.09.26 US 15/276,4561.一种制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在所述第一低k介电层中形成第一金属部件和第二金属部件；在所述第一低k介电层中形成第一沟槽，所述第一沟槽跨越在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；对所述第一低k介电层的位于所述第一沟槽中的侧壁执行紫外线(UV)处理；在所述第一沟槽中形成第一蚀刻停止层；以及在所述第一蚀刻停止层上沉积第二低k介电层，从而在所述第一沟槽中形成气隙。2.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，在所述第一低k介电层中形成所述第一金属部件和所述第二金属部件包括：图案化所述第一低k介电层，从而在所述第一低k介电层中形成第二沟槽；利用金属材料填充所述第二沟槽；以及对所述金属材料执行抛光，从而形成所述第一金属部件和所述第二金属部件。3.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，在所述第一低k介电层中形成所述第一沟槽包括：在所述第一低k介电层上形成具有开口的蚀刻掩模；以及通过所述开口蚀刻所述第一低k介电层，从而形成所述第一沟槽，所述第一沟槽在第一方向上从所述第一金属部件跨越至所述第二金属部件并且在与所述第一方向不同的第二方向上跨越在所述第一低k介电层的侧壁之间。4.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，在所述第一低k介电层中形成所述第一沟槽包括：在所述第一金属部件和所述第二金属部件以及所述第一低k介电层上方形成第二蚀刻停止层；图案化所述第二蚀刻停止层以在所述第二蚀刻停止层中形成开口，其中，所述开口暴露介于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间的区域中的所述第一低k介电层；使用含氟蚀刻剂，通过所述开口对所述第一低k介电层执行干蚀刻工艺；以及通过所述开口对所述第一低k介电层执行湿蚀刻工艺。5.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林翔伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71