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根据一些实施例，本发明提供了一种制造半导体结构的方法。方法包括：在衬底上方形成第一低k介电层；在第一低k介电层中形成第一和第二金属部件；在第一低k介电层中形成第一沟槽，第一沟槽跨越在第一和第二金属部件之间；对于第一低k介电层的位于第一沟槽中...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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