温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
半导体器件包括位于衬底上面并且在第一方向上延伸的多条下部导线、位于多条下部导线上面的绝缘层、位于绝缘层和多条下部导线上面并且在与第一方向相交的第二方向上延伸的多条上部导线以及在绝缘层中形成的用导线材料填充的多个通孔。多条上部导线在第一方向上...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
半导体器件包括位于衬底上面并且在第一方向上延伸的多条下部导线、位于多条下部导线上面的绝缘层、位于绝缘层和多条下部导线上面并且在与第一方向相交的第二方向上延伸的多条上部导线以及在绝缘层中形成的用导线材料填充的多个通孔。多条上部导线在第一方向上...