The invention discloses a double cavity type plasma deposition method, which comprises the following steps: (1) vacuum; (2) placing the substrate and adjust to the position required by the process; (3) the process gas is fed into the first reaction chamber and a second reaction chamber to pass into the body at the same time, nitrogen intake channel cleaning gas; (4) two to adjust the pressure within the reaction chamber; (5) preheating substrate, and the process gas RF treatment, the process gases in RF plasma formation under the effect of plasma on the film surface of the substrate, coating. This method is adopted in the process gas is fed to the first reaction chamber and a second reaction chamber at the same time, nitrogen is introduced into the cleaning gas intake passage, get rid of the vacuum cleaning gas inlet channel, both ends of the pressure balance, can different deposition rate caused by uneven air distribution on the two chambers so as to effectively eliminate. To improve the uniformity of wafer process.
【技术实现步骤摘要】
一种双腔式等离子体沉积镀膜方法
本专利技术涉及半导体镀膜
,特别提供了一种双腔式等离子体沉积镀膜方法。
技术介绍
现有双腔式等离子体处理装置在进行沉积镀膜前,需清洗反应腔室,具体地:将清洗气体通过远程等离子体发生器经管路送入两个反应腔室,反应腔室清洗完成后,需将反应腔室及装置内的所有管道抽真空,之后,工艺气体带着一定的压力被输入到两个反应腔室,然而,因为等离子体发生器与腔室之间的管路为真空状态,会有一部分工艺气体返流至上述管路内,返流的气体量带有随机性,会造成两个反应腔室间的气体分配不均,引起两腔室内沉积速率上的差异。目前,随着半导体技术的不断发展,对薄膜性能的要求不断提高,因此,提高等离子体工艺制程晶圆间的复制性及均一性,成为人们亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种双腔式等离子体沉积镀膜方法,以至少解决现有的双腔式等离子体沉积镀膜方法容易造成两腔镀膜存在差异,晶圆间的均一性差等问题。本专利技术提供了一种双腔式等离子体沉积镀膜方法,包括如下步骤:(1)将第一反应腔室、第二反应腔室、清洗气体进气通道和工艺气体进气通道抽真空;(2)将衬底分别送入第一反应腔室和第二反应腔室内,并调整到所需的工艺位置;(3)通过工艺气体进气通道向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体,同时,向清洗气体进气通道内通入氮气;(4)调整两个反应腔室内的压力至1~10torr;(5)预热衬底至60~500摄氏度,并对第一反应腔室和第二反应腔室内的工艺气体进行射频处理,使工艺气体在射频的作用下形成等离子体,等离子体在衬底表面成膜,完成镀膜。优选,在步骤3 ...
【技术保护点】
一种双腔式等离子体沉积镀膜方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将第一反应腔室、第二反应腔室、清洗气体进气通道和工艺气体进气通道抽真空;(2)将衬底分别送入第一反应腔室和第二反应腔室内,并调整到所需的工艺位置;(3)通过工艺气体进气通道向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体,同时,向清洗气体进气通道内通入氮气;(4)调整两个反应腔室内的压力至1~10torr;(5)预热衬底至60~500摄氏度,并对第一反应腔室和第二反应腔室内的工艺气体进行射频处理,使工艺气体在射频的作用下形成等离子体,等离子体在衬底表面成膜,完成镀膜。
【技术特征摘要】
1.一种双腔式等离子体沉积镀膜方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将第一反应腔室、第二反应腔室、清洗气体进气通道和工艺气体进气通道抽真空;(2)将衬底分别送入第一反应腔室和第二反应腔室内,并调整到所需的工艺位置;(3)通过工艺气体进气通道向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体,同时,向清洗气体进气通道内通入氮气;(4)调整两个反应腔室内的压力至1~10torr;(5)预热衬底至60~500摄氏度,并对第一反应腔室和第二反应腔室内的工艺气体进行射频处理,使工艺气体在射频的作用下形成等离子体,等离子体在衬底表面成膜,完成镀膜。2.按照权利要求1所述的双腔式等离子体沉积镀膜方法,其特征在于:在步骤3中,氮气的用量<=2000sccm。3.按照权利要求1所述的双腔式等离子体沉积镀膜方法,其特征在于:在步骤4中,调整两个反应腔室内的压力至1.5~6tor...
【专利技术属性】
技术研发人员:王卓,戚艳丽,姜崴,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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