研磨用组合物制造技术

一种研磨用组合物，其中该研磨组合物包括研磨剂、研磨促进剂和水，其特征在于所述的研磨用组合物进一步包括由下面的通式所表示的化合物： Ｘ－（＊－ＮＨ－Ｙ－ＮＨ－＊－（Ｏ－ＣＨ↓［２］－ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］－Ｚ）↓［ｍ］ 其中字母Ｘ表示聚醚多元醇的残基，字母ｍ表示与一个聚醚多元醇分子中的羟基数相等的数字，字母Ｙ表示二价烃基，字母Ｚ表示具有活性氢原子的单价化合物的残基，字母ｎ表示等于或者大于３的整数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于研磨诸如磁盘基片等的研磨用组合物。
技术介绍
当使用磁盘基片制造磁盘时，通常要研磨去除基片表面的起伏以及使表面光滑。一般使用包括研磨剂和研磨促进剂的研磨用组合物来研磨基片表面。然而，当使用常规研磨用组合物研磨基片表面时，与外周部分之外的其他表面部分相比，基片表面的外周部分被过度研磨。这阻碍了磁盘容量的增加。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种研磨用组合物，当使用这种研磨用组合物来研磨磁盘基片表面时，可以防止基片表面的外周部分被过度研磨。为了达到上述目的，本专利技术提供一种包含研磨剂、研磨促进剂和水的研磨用组合物。该研磨用组合物进一步包括表示为下述通式的化合物 字母X表示聚醚多元醇的残基。字母m表示相等于一个聚醚多元醇分子中的羟基数的数字。字母Y表示二价烃基。字母Z表示具有活性氢原子的单价化合物的残基。字母n表示相等于或者大于3的整数。本专利技术还提供一种包括研磨剂、研磨促进剂和水的研磨用组合物。该研磨用组合物进一步包括一种衍生自异戊二烯磺酸或其盐的单体单元的聚合物。结合附图、以实施例方式的阐述以及本专利技术的原理，本专利技术的其他方面和优点将从以下的描述中变得明显。附图说明本专利技术以及其目的和优点可以通过参考下面对现有优选实施例的描述以及下述附图得以最好的理解，其中图1(a)是解释轧去(roll-off)图；和图1(b)是解释垂平(dub-off)图。具体实施例方式现在描述本专利技术的第一实施方式。依照本专利技术的第一实施方式的研磨用组合物由表示为下面通式(1)的化合物、研磨剂、研磨促进剂和水构成。 在通式(1)中，字母X表示聚醚多元醇的残基。聚醚多元醇优选由包括活性氢原子和环氧烷烃的化合物引发合成制得的。聚醚多元醇的聚醚链优选包含20～90重量％的氧乙撑基团。字母m等于一个聚醚多元醇分子中的羟基数。字母m优选为2～8的整数。字母Y表示二价烃基。字母Z表示具有活性氢原子的单价化合物的残基。字母Y和Z的具体例子是由环氧乙烷和环氧丙烷中的至少一个与碳原子数小于或者等于8的低级醇或者烃基通过加聚形成的加聚物。字母n表示至少为3的整数。首先，对表示为上面通式(1)的化合物进行描述。通式(1)表示的化合物是一种抑制剂，当使用依照本专利技术的第一实施方式的研磨用组合物来研磨磁盘基片的表面时，与外周部分以外的其他表面部分相比，该抑制剂可防止基片表面的外周部分被过度研磨。由通式(1)表示的化合物的具体实例是聚氨酯表面活性剂，如AKZO NOBEL制造的UHBERMODE PUR系列，ASAHI DENKA CO.，LTD.制造的ADEKA NOL系列，以及Rohmand Hass公司制造的Primal系列。依照第一实施方式的研磨用组合物中包含的通式(1)表示的化合物的量优选在0.001～1重量％之间，更优选在0.005～0.5重量％之间，最优选在0.005～0.3重量％之间。现在描述研磨剂。当使用依照第一实施方式的研磨用组合物研磨磁盘基片表面时，研磨剂机械地研磨基片的表面。研磨剂地具体实例为氧化铝，如α-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、κ-氧化铝和锻制氧化铝；二氧化硅，如胶体二氧化硅和锻制二氧化硅；氧化铈，如二氧化铈，三氧化二铈、六方晶体二氧化铈、立方二氧化铈和面心立方二氧化铈；氧化锆，如锻制氧化锆，单斜氧化锆，四方晶氧化锆和无定形氧化锆；氧化钛，如一氧化钛、三氧化二钛、二氧化钛、和锻制钛；氮化硅，如α-氮化硅、β-氮化硅和无定形氮化硅；以及碳化硅，如α-碳化硅、β-碳化硅和无定形碳化硅。依照第一实施方式的研磨用组合物中包含的研磨剂的种类数可以是一种、两种或者更多。当研磨剂是二氧化硅时，由基于BET方法测得的来自表面区域的研磨剂的平均粒径优选在0.005～0.5μm之间，更优选在0.01～0.3μm之间。当研磨剂是氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅或者碳化硅时，通过激光衍射粒径分析仪(例如Beckman Coulter公司制造的LS-230)测得的研磨剂的平均粒径(D50％)优选在0.05～2μm之间，更优选在0.1～1.5μm之间。当研磨剂是氧化铈时，通过扫描电镜测得的研磨剂的平均粒径优选在0.01～0.5μm之间，更优选在0.05～0.45μm之间。依照第一实施方式的研磨用组合物中包含的研磨剂量优选在0.1～40重量％，更优选在1～25重量％。现在描述研磨促进剂。当使用依照第一实施方式的研磨用组合物研磨磁盘基片表面时，研磨促进剂化学地研磨基片表面。研磨促进剂的具体实例为苹果酸、羟基乙酸、丁二酸、柠檬酸、马来酸、衣康酸、丙二酸、亚氨二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、苦杏仁酸、丁烯酸、烟碱酸、乙酸、甘氨酸、丙氨酸、硫代乙酸、氢硫基丁二酸、硫代丁二酸羧乙基酯、硝酸铝、硫酸铝和硝酸铁(III)。优选的研磨促进剂为苹果酸、羟基乙酸、丁二酸和柠檬酸。特别优选的研磨促进剂是丁二酸。依照第一实施方式的研磨用组合物种含有的研磨促进剂种类数量可以仅为一种，或者两种或更多。依照第一实施方式的研磨用组合物中含有的研磨促进剂的量优选在0.01～25重量％之间，更优选在0.1～20重量％之间，最优选在0.2～10重量％之间。现对水进行描述。依照第一实施方式的研磨用组合物中，水用来作为通式(1)表示的化合物、研磨剂和研磨促进剂的分散介质和溶剂。优选水不含有杂质。更具体地讲，水优选为经过滤的离子交换水和蒸馏水。依照第一实施方式的研磨用组合物是通过将通式(1)表示的化合物、研磨剂和研磨促进剂与水混合后溶解分散制得的。在混合中可以使用叶片式搅拌器或者超声波分散器。依照第一实施方式的研磨用组合物的pH值优选在2～7之间。第一实施方式提供下面的优点。当使用依照第一实施方式的研磨用组合物研磨磁盘基片的表面时，与外周部分以外的其他表面部分相比，可以防止基片表面的外周部分被过度研磨。这使磁盘的容量得以增加。由于研磨用组合物含有通式(1)表示的化合物，依照第一实施方式的研磨用组合物抑制过度研磨基片表面的外周部分。通式(1)表示的化合物充分地减少基片和用来研磨基片的研磨垫之间的摩擦。因此认为摩擦的减少抑制了基片表面的外周部分的过度研磨。当依照第一实施方式的研磨用组合物中含有的通式(1)表示的化合物量大于或等于0.001重量％时，所提供的研磨用组合物能充分抑制基片表面的外周部分被过度研磨。当通式(1)表示的化合物的量大于或等于0.005重量％时，能有效抑制对基片表面的外周部分的过度研磨。当包含在研磨用组合物中的通式(1)表示的化合物的量小于或者等于1重量％时，可以防止因加入过多的化合物而引起的研磨速度的极度降低和成本的增加。当通式(1)表示的化合物的含量小于或者等于0.5重量％时，可以更可靠地防止研磨速度的极度降低。当通式(1)表示的化合物小于或者等于0.3重量％时，可以实质上必然地防止研磨速度的极度降低。当研磨剂为二氧化硅时，研磨剂的平均粒径大于或者等于0.005μm、当研磨剂为氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅或者碳化硅时，平均粒径大于或者等于0.05μm、研磨剂为氧化铈时，平均粒径大于或者等于0.01μm时，可以防止由于研磨剂的过度小粒径引起的研磨速度的极度降低。当研磨剂为二氧化硅时，研磨剂的平均粒径大于或者等于0.01μm、研磨剂为氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化硅或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥智明，杉山博保，大脇寿树，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：