发光元件及其制造方法技术
Light emitting element and manufacturing method thereof
The invention discloses a light emitting element and its manufacturing method, the light emitting element manufacturing method comprises: providing a semiconductor wafer comprises a substrate having a first surface and a second surface relative to the first surface; and a first half conductor stack at the surface of the substrate; removing part of the stack of semiconductor layers to form an exposed area; to form a first reflection structure in the exposed area; and the position corresponding to the surface of the first substrate second radiation reflecting structure of a laser beam.
【技术实现步骤摘要】
发光元件及其制造方法
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法，更详言之，是涉及一种具有高亮度的发光元件。
技术介绍
发光二极管(light-emittingdiode,LED)为p型半导体与n型半导体所组成的光电元件，通过p-n接面上载流子的结合放出光线，可广泛地使用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材等。传统的发光二极管制作工艺，是在一基板上以外延技术成长半导体叠层，形成晶片，外延完成后需进行切割制作工艺，将晶片分割成多个发光二极管管芯。现有的晶片切割技术包含先自晶片的表面上形成两组彼此互相垂直的切割线，接着以劈刀对准两方向垂直线进行劈裂，使得晶片沿着切割线裂开而分离成多个发光二极管管芯。另一种晶片切割技术包含由基板表面照射激光光束，通过激光光束在基板内形成变质区，再利用外力使晶片沿变质区分裂形成多个发光二极管管芯。然而受限于上述切割技术，当晶片的切割走道缩减时，或晶片分裂时常造成切割良率不佳的问题。此外，切割所用的激光能量若非控制在最佳条件下操作，除了产生切割良率不佳的问题外，也可能损伤晶片的半导体层。
技术实现思路
为解决上述问题...
【技术保护点】
一种发光元件制造方法，包含：提供一半导体晶片，包含：基板，具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；以及半导体叠层位于该基板的第一表面；移除部分该半导体叠层以形成一暴露区；形成一第一反射结构于该暴露区上；以及由该基板的该第二表面对应该第一反射结构的位置照射一激光光束。
【技术特征摘要】
1.一种发光元件制造方法，包含：提供一半导体晶片，包含：基板，具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面；以及半导体叠层位于该基板的第一表面；移除部分该半导体叠层以形成一暴露区；形成一第一反射结构于该暴露区上；以及由该基板的该第二表面对应该第一反射结构的位置照射一激光光束。2.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中通过该激光光束对该半导体晶片进行分割，及/或该第一反射结构可反射该激光光束。3.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中：该半导体叠层包含第一半导体层、活性层、以及第二半导体层依序形成于该第一表面上；还包含形成一第二反射结构于该第二半导体层上，其中该第一反射结构与该第二反射结构为同一步骤形成，及/或该第一反射结构及该第二反射结构包含一介电材料叠层，该介电材料叠层由多组折射率不同的介电材料重复堆叠所组成。4.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中：该半导体叠层包含第一半导体层、活性层、以及第二半导体层依序形成于该第一表面上；其中移除部分该半导体叠层至暴露出该第一半导体层，以形成该暴露区，该暴露区包含一或多条走道，且形成该第一反射结构于该走道中的该第一半导体层上。5.如权利要求1所述的发光元件制造方法，其中：该半导体叠层包含第一半导体层、活性层、以及第二半导体层依序形成于该第一表面上；其中移除部分该半导体叠层至暴露出该基板的该第一表面，以形成该暴露区，该暴露区包含一...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳裕，曾俊龙，沈庆兴，郑惟顶，简瑞芬，龚钰茗，郑乔耀，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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