一种发光二极管的芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底、未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、氧化铟锡电流扩展层、N型电极、P型电极、多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，氧化铟锡电流扩展层、P型氮化镓层、P型电子阻挡层、多量子阱层中设有从氧化铟锡电流扩展层延伸至N型氮化镓层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型氮化镓层上，P型电极设置在氧化铟锡电流扩展层上，多个二氧化钛纳米棒以阵列方式布置在氧化铟锡电流扩展层上，每个二氧化钛纳米棒的外壁均设置有多个银纳米颗粒。本发明专利技术能够明显提高LED的发光效率。

Light emitting diode chip and manufacturing method thereof

The invention discloses a chip of a light-emitting diode and a manufacturing method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. The chip comprises a substrate, an undoped AlN buffer layer, an undoped GaN layer, N type gallium nitride layer, a multi quantum well layer, P type electron blocking layer, P type gallium nitride layer, indium tin oxide, N type electrode current spreading layer, P type electrode, a plurality of TiO2 nanorods and a plurality of silver nanoparticles indium tin oxide, current spreading layer, P type gallium nitride layer, P type electron blocking layer, a groove extending to the extended layer N type gallium nitride layer from indium tin oxide current multi quantum well layer, N type electrode set N type gallium nitride layer in the groove on the P type electrode is arranged on the indium tin oxide current an extended layer, a plurality of TiO2 nanorods arranged in array in the indium tin oxide layer on the outer wall of each current expansion, TiO2 nanorods are equipped with a plurality of silver nanoparticles. The invention can obviously improve the luminous efficiency of LED.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管的芯片及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)的发光效率不断提高，广泛应用于各种彩色显示屏、装饰灯、指示灯、白光照明灯，但LED的发光效率还没有达到理想的目标。LED的发光效率由内量子效率和光提取效率两方面决定，现有氮化镓基LED的内量子效率已经很高，所以想要进一步提高氮化镓基LED的发光效率，主要是提高LED的光提取效率。目前采用沉淀法在LED的电流扩展层上制作一层氧化锌种子层，再采用水热法在氧化锌种子层上生长氧化锌纳米棒阵列，氧化锌纳米棒阵列的结构可以增加出光面的粗糙度，减少全反射，从而提高光提取效率。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：沉淀法制作的氧化锌种子层无法有效粘附在LED上，导致氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒阵列容易从LED上脱落，无法有效提高LED的光提取效率。
技术实现思路
为了解决现有技术中增加氧化锌种子层及氧化锌纳米棒无法有效提高LED的光提取效率问题，本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和氧化铟锡电流扩展层，所述多量子阱层包括多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层，所述多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层交替层叠设置，所述氧化铟锡电流扩展层、所述P型氮化镓层、所述P型电子阻挡层、所述多量子阱层中设有从所述氧化铟锡电流扩展层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；所述芯片还包括N型电极和P型电极，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型氮化镓层上，所述P型电极设置在所述氧化铟锡电流扩展层上，其特征在于，所述芯片还包括多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，所...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和氧化铟锡电流扩展层，所述多量子阱层包括多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层，所述多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层交替层叠设置，所述氧化铟锡电流扩展层、所述P型氮化镓层、所述P型电子阻挡层、所述多量子阱层中设有从所述氧化铟锡电流扩展层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；所述芯片还包括N型电极和P型电极，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型氮化镓层上，所述P型电极设置在所述氧化铟锡电流扩展层上，其特征在于，所述芯片还包括多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，所述多个二氧化钛纳米棒以阵列方式布置在所述氧化铟锡电流扩展层上，每个所述二氧化钛纳米棒的外壁均设置有多个所述银纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述二氧化钛纳米棒为圆柱体，所述圆柱体的直径为20～80nm。3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述二氧化钛纳米棒的长度为300～500nm。4.一种发光二极管的芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层，所述多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层交替层叠设置；在所述P型氮化镓层上形成氧化铟锡电流扩展层；在所述氧化铟锡电流扩展层、所述P型氮化镓层、所述P型电子阻挡层、所述多量子阱层中开设从所述氧化铟锡电流扩展层延伸至所述N型氮化镓层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涛，郭炳磊，葛永晖，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33