一种LED芯片电极结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片电极结构及其制作方法，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述LED芯片电极结构包括：所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极，所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。本发明专利技术使得LED芯片使电流分布更加均匀，不会出现局部过热情况，使LED芯片可以通过更大的电流，增加LED芯片的功率，也增加了LED芯片的使用寿命，可广泛应用于LED行业中。

LED chip electrode structure and manufacturing method thereof

The invention discloses a LED chip electrode structure and manufacturing method thereof, wherein the LED chip includes P and N electrodes, including the electrode structure of the chip LED: the N electrode comprises around the mouth shape electrode of LED chip and T shaped electrodes around the edges from the mouth shaped electrode intermediate symmetric two side of the counter electrode inwardly extending, the P electrode arranged in LED chip I-shaped composite electrode in the middle. The invention enables the LED chip to make the current distribution is more uniform, without local overheating, the LED chip can be more current, increase the power of the LED chip, also increase the service life of the LED chips, can be widely used in LED industry.

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片电极结构及其制作方法
本专利技术涉及LED器件领域，特别是涉及一种LED芯片电极结构及其制作方法。
技术介绍
GaN系材料是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，GaN系发光二极管是发展固态照明和实现人类照明革命的关键性光源，具有广泛的应用前景。目前商品化的LED生产主要采用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延得到，由于蓝宝石是绝缘体，必须通过刻蚀器件表面形成台面结构，P型电极和N型电极在同一侧，不可避免的存在电流的横向扩展，从而容易存在电流拥堵，这将导致发光发热不均匀，使用寿命下降等问题，对于大面积的大功率器件，电流拥堵更加严重，必须通过电极结构优化来提高均匀性。现有电极结构中，电流拥挤效应加速器件老化的原因主要包括：（1）台面边缘局部区域产生过多的热量，热量不能有效扩散掉，造成器件过热；（2）局部电流密度大，载流子在局部的迁移比较拥挤，加速器件老化，电流拥挤效应会形成恶性循环，使器件最终失效。目前，国内外对LED电极的研究多集中于通过什么样的工艺条件可以制作n-GaN和p-GaN材料良好的欧姆接触，这种研究对电流的拥挤效应没有实质性的改善。总的来说，传统电极结构使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片电极结构，所述LED芯片包括P电极和N电极，其特征在于，所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极，所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片电极结构，所述LED芯片包括P电极和N电极，其特征在于，所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极，所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片电极结构，其特征在于，所述口字形电极的其中一电极边的宽度大于剩余三个电极边的宽度，且在该宽度较大的电极边的中间位置设有N极导电触点。3.根据权利要求2所述的LED芯片电极结构，其特征在于，所述口字形电极的该宽度较大的电极边的宽度为50µm，剩余三个电极边的宽度为10µm，所述T形电极的与口字形电极连接的电极边的尺寸为300µm×50µm，另一电极边的尺寸为200µm×50µm。4.根据权利要求1所述的LED芯片电极结构，其特征在于，所述工字组合电极包括设置于LED芯片正中间的连接电极以及垂直设置于连接电极两端的第一工字形电极和第二工字形电极。5.根据权利要求4所述的LED芯片电极结构，其特征在于，所述连接电极的中间位置设有P极导电触点。6.根据权利要求4所述的LED芯片电极结构，其特征在于，所述连接电极的宽度大于第一工字形电极和第二工字形电极的各电极边的宽度。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，丛海云，郑树文，黄波，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44