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本发明公开了一种LED芯片电极结构及其制作方法，所述LED芯片包括P电极和N电极，所述LED芯片电极结构包括：所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极，所述P电极包括设置在...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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