一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种弧线形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成弧线形插指，所述弧线形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指或弧线形插指底部相连。本发明专利技术的弧线形N电极，很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均，吸光严重的问题。本发明专利技术还公开了一种垂直结构LED芯片，包括所述的弧线形N电极，克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点，极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片
本专利技术涉及LED制造领域，特别涉及一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片。
技术介绍
随着LED在照明领域的逐步应用，市场对白光LED光效的要求越来越高，GaN基垂直结构LED具有良好的散热能力，能够承受大电流注入，这样一个垂直结构LED芯片可以相当于几个正装结构芯片，折合成本只有正装结构的几分之一。因此，GaN基垂直结构LED是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势。与传统的平面结构LED相比，垂直结构LED具有许多优点：垂直结构LED两个电极分别在LED的两侧，电流几乎全部垂直流过外延层，没有横向流动的电流，电流分布均匀，产生的热量减少；采用键合与剥离的方法将导热不好的蓝宝石衬底去除，换成导电性好并且具有高热导率的衬底，可有效地散热；n-GaN层为出光面，该层具有一定的厚度，便于制作表面微结构，以提高光提取效率。总之，与传统平面结构相比，垂直结构在出光、散热等方面具有明显的优势。随着半导体技术的高速发展，LED的内部量子效率能达到90％以上，而外部量子效率的提高并不显著，受到诸多因素的影响，如LED结构，电极形状，电极材料，电流扩展层厚度等，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弧线形N电极，其特征在于，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称结构、上下对称结构；所述焊盘和中心区域插指位于边缘多边形插指内部，均为左右对称结构，对称轴为边缘多边形插指的左右对称轴；所述中心区域插指的顶端与焊盘相接，并与焊盘长边垂直，底端与边缘多边形插指相接；所述中心区域插指包括弧线形插指和垂直插指；所述垂直插指位于边缘多边形插指的左右对称轴上。

【技术特征摘要】
1.一种弧线形N电极，其特征在于，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称结构、上下对称结构；所述焊盘和中心区域插指位于边缘多边形插指内部，均为左右对称结构，对称轴为边缘多边形插指的左右对称轴；所述中心区域插指的顶端与焊盘相接，并与焊盘长边垂直，底端与边缘多边形插指相接；所述中心区域插指包括弧线形插指和垂直插指；所述垂直插指位于边缘多边形插指的左右对称轴上。2.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于，所述中心区域插指由两根垂直插指及一个圆环插指组成，所述圆环插指关于边缘多边形插指的左右对称轴对称；第一垂直插指连接圆环插指和焊盘；第二垂直插指连接圆环插指和边缘多边形插指。3.根据权利要求2所述的弧线形N电极，其特征在于，所述圆环插指的半径范围是150um-250um。4.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于，所述中心区域插指由一根垂直插指及一条曲线插指组成；所述垂直插指连接曲线插指和焊盘；所述曲线插指与边缘多边形插指相接；所述曲线插指为一条开口向下的抛物线。5.根据权利要求4所述的弧线形N电极，其特征在于，所述抛物线的方程是为y2＝kx，其中，0.5<k<2。6.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，张云鹏，张子辰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44