钽化合物、制造集成电路器件的方法和集成电路器件技术

钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R

Tantalum compound, method of manufacturing integrated circuit device, and integrated circuit device

Tantalum compound, method of manufacturing integrated circuit device, and integrated circuit device represented by the following general formula (I), wherein R

【技术实现步骤摘要】
钽化合物、制造集成电路器件的方法和集成电路器件相关申请的交叉引用将在韩国知识产权局于2015年12月21日提交并且题为“钽化合物和通过使用其形成薄膜及制造集成电路器件的方法”的韩国专利申请No.10-2015-0182788全部通过参考引入本文中。
实施方式涉及钽化合物和通过使用其形成薄膜及制造集成电路器件的方法。
技术介绍
由于电子技术的发展，半导体器件的小型化近年来已被快速地实施。因而，构成电子设备的图案正变得更精细。
技术实现思路
实施方式涉及钽化合物和通过使用其形成薄膜及制造集成电路器件的方法。所述实施方式可通过提供由以下通式(I)表示的钽化合物实现：其中，在通式(I)中，R1、R3、和R4各自独立地为C1-C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4-C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；且R2为氢原子，C1-C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6-C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。所述实施方式可通过提供形成薄膜的方法实现，所述方法包括通过使用由以下通式(I)表示的钽化合物在基底上形成包含钽的膜：其中，在通式(I)中，R1、R3、和R4各自本文档来自技高网...

【技术保护点】
由以下通式(I)表示的钽化合物：

【技术特征摘要】
2015.12.21 KR 10-2015-01827881.由以下通式(I)表示的钽化合物：其中，在通式(I)中，R1、R3和R4各自独立地为C1-C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4-C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1-C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6-C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。2.如权利要求1中所述的钽化合物，其中所述钽化合物在25℃和1atm下为液体。3.如权利要求1中所述的钽化合物，其中R1、R3、和R4的至少一个为异丙基。4.如权利要求1中所述的钽化合物，其中R2为C1-C5直链或支化的烷基。5.如权利要求1中所述的钽化合物，其中R1、R3、和R4各自独立地为C1-C5直链或支化的烷基。6.如权利要求1中所述的钽化合物，其中：R1、R3、和R4各自为异丙基，和R2为甲基。7.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基底上形成下部结构；和通过使用如权利要求1-6任一项中所述的钽化合物在所述下部结构上形成包含钽的膜。8.如权利要求7中所述的方法，其中：形成下部结构包括：通过蚀刻所述基底的一部分形成从所述基底向上突出的多个鳍状活性区域；和在所述多个鳍形活性区域上形成高K介电膜，和形成包含钽的膜包括在所述多个鳍状活性区域上的所述高K介电膜上形成氮化钽膜。9.如权利要求8中所述的方法，其中所述氮化钽膜是氧不能渗透的。10.如权利要求8中所述的方法，其中所述氮化钽膜具有小于3.0原子％的碳含量。11.如权利要求8中所述的方法，其中形成氮化钽膜包括将由通式(I)表示的钽化合物和包含氮原子的反应性气体供应到所述高K介电膜上。12.如权利要求8中所述的方法，其中形成氮化钽膜包括：通过将由通式(I)表示的钽化合物供应到所述高K介电膜上而在所述高K介电膜上形成吸附钽化合物的层；和通过如下使所述吸附钽化合物的层与包含氮原子的反应性气体反应：将所述反应性气体供应...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳承旻，林载顺，曹仑廷，小出幸宜，山田直树，白鸟翼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：韩国,KR