封装上封装构件与制作半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种封装上封装构件,包含一底部封装以及一堆叠设置在所述底部封装上的顶部封装。底部封装包含一重分布层结构、至少一晶粒,设置在所述重分布层结构上并且被一模塑料包覆、多数个位于所述晶粒中的穿硅通孔(TSVs)、多数个沿着所述晶粒周边设置的穿模通孔(TMVs),以及多数个焊锡凸块或锡球。其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径。顶部封装是通过所述穿硅通孔(TSVs)与所述穿模通孔(TMVs)与所述底部封装电连接。本发明专利技术还公开一种制作半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
封装上封装构件与制作半导体器件的方法
本专利技术涉及半导体封装领域与制作半导体器件的方法,特别涉及一种具有不同尺寸的封装穿孔的封装上封装构件,可用来将不同功能的芯片封装至一封装体中。
技术介绍
随着半导体制造技术的进步,微电子组件的尺寸越来越小,其中的电路也越来越密集。为了进一步缩小尺寸,安装在电路板的微电子组件封装结构也必须更加紧密。3D封装技术,例如封装上封装(packageonpackage)技术,可以制作出具有较高集成度以及较紧密封装接脚的封装构件。一般而言,封装上封装构件通常包含一个位于顶部的半导体晶粒封装体,堆叠接合到另一个位于底部的晶粒封装体。现有技术制作封装上封装构件的方法,多是通过位于周围的锡球或穿模通孔,使堆叠的顶部封装体和底部封装体电连接。然而,上述以现有技术制作的封装上封装构件的堆叠结构,无法具有极紧密的间隙，不仅体积较大，并且容易发生翘曲的问题。有鉴于此,本
仍要一个改良的封装上封装构件,利用不同尺寸的封装穿孔将不同功能的芯片安装在一起,可以形成具有较紧密间隙的堆叠结构的封装体。
技术实现思路
为达上述目的，本专利技术提供一种改良的封装上封装构件,其中包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装上封装构件,其特征在于，包含:一底部封装,包含有:一重分布层结构,具有一第一面及相对所述第一面的一第二面；至少一晶粒,设置在所述第一面上；一模塑料,设置在所述第一面并且包覆所述晶粒；多数个穿硅通孔,位于所述晶粒中；多数个穿模通孔,设置在一周边区域且贯穿所述第一面上的所述模塑料,其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径；以及多数个焊锡凸块或锡球,设置在所述第二面上；以及一顶部封装,堆叠设置在所述底部封装上,并且通过所述穿硅通孔与所述穿模通孔与所述底部封装电连接。

【技术特征摘要】
2016.01.11 US 14/992,0201.一种封装上封装构件,其特征在于，包含:一底部封装,包含有:一重分布层结构,具有一第一面及相对所述第一面的一第二面；至少一晶粒,设置在所述第一面上；一模塑料,设置在所述第一面并且包覆所述晶粒；多数个穿硅通孔,位于所述晶粒中；多数个穿模通孔,设置在一周边区域且贯穿所述第一面上的所述模塑料,其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径；以及多数个焊锡凸块或锡球,设置在所述第二面上；以及一顶部封装,堆叠设置在所述底部封装上,并且通过所述穿硅通孔与所述穿模通孔与所述底部封装电连接。2.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，所述重分布层结构包含一介电层以及至少一金属层,其中所述金属层位于所述介电层中。3.根据权利要求2所述的封装上封装构件,其特征在于，所述重分布层结构另包含一钝化层。4.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，所述穿硅通孔是沿着所述晶粒的边缘设置。5.根据权利要求1所述的封装上封装构件,其特征在于，另包含凸块,位于所述晶粒与所述重分布层结构之间。6.一种制作半导体器件的方法,其特征在于，包含:提供一载板；于所述载板上形成一重分布层结构；于所述重分布层结构上形成一钝化层；于所述重分布层结构上形成凸块；于所述重分布层结构上安装一晶粒,其中所述晶粒包含多数个穿硅通孔,且所述晶粒是通过所述凸块与所述重分布层结构电连接；以一模塑料模塑所述晶粒；抛光所述模塑料与所述晶粒,以暴露出各所述穿硅通孔的一端面；以及在所述晶粒周围的所述模塑料中形成多数个穿模通孔。...

【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，吴铁将，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US