一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法。该动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，该方法包括：固定薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压为第一电压；向栅极施加待存电压以使动态随机存储器处于对应的存储状态；向栅极施加第三电压以读取流经漏极的漏极电流；根据漏极电流读取动态随机存储器的存储状态。通过上述方式，本发明专利技术的动态随机存储器不需要额外增加电容即可实现存取功能，从而保证了液晶显示器的显示效果；另外，本发明专利技术使用现有的薄膜晶体管来实现动态随机存储器，不需要额外的制程以及占用额外的面积，从而降低了液晶显示器的生产复杂度。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法
本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法。
技术介绍
传统的动态随机存储器需要使用1T1C，也即一个晶体管和一个电容。当传统的动态随机存储器应用到液晶显示器中时，由于液晶显示器的分辨率越来越高，对于RC延迟和开口率的要求越来越高，而动态随机存储器中引入的额外的电容会造成RC延迟增大以及开口率下降，从而降低液晶显示器的显示效果。另外，采用传统的动态随机存储器，还需要额外的制程并占用较大的面积，从而增大了液晶显示器的生产复杂度。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法，不需要额外增加电容即可实现动态存取之功能，从而保证了液晶显示器的显示效果。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法，该动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极，该方法包括：固定薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压为第一电压；向栅极施加待存电压以使动态随机存储器处于对应的存储状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法，其特征在于，所述动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极，所述方法包括：固定所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压；向所述栅极施加待存电压以使所述动态随机存储器处于对应的存储状态，其中，所述存储状态包括第一状态和第二状态；向所述栅极施加第三电压以读取流经所述漏极的漏极电流；根据所述漏极电流读取所述动态随机存储器的所述存储状态，其中，所述漏极电流包括第一电流和第二电流，所述第一电流小于所述第二电流。

【技术特征摘要】
1.一种应用于液晶显示器的动态随机存储器的存取方法，其特征在于，所述动态随机存储器为一具有迟滞效应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一漏极，所述方法包括：固定所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极之间的电压为第一电压；向所述栅极施加待存电压以使所述动态随机存储器处于对应的存储状态，其中，所述存储状态包括第一状态和第二状态；向所述栅极施加第三电压以读取流经所述漏极的漏极电流；根据所述漏极电流读取所述动态随机存储器的所述存储状态，其中，所述漏极电流包括第一电流和第二电流，所述第一电流小于所述第二电流。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述栅极施加待存电压以使所述动态随机存储器处于对应的存储状态的步骤包括：向所述栅极施加第二正电压的所述待存电压以使所述动态随机存储器处于所述第一状态；或者向所述栅极施加第二负电压的所述待存电压以使所述动态随机存储器处于所述第二状态。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述漏极电流读取所述动态随机存储器的所述存储状态的步骤包括：当所述漏极电流为第一电流时，读取所述动态随机存储器的所述存储状态为所述第一状态；当所述漏极电流为第二电流时，读取所述动态随机存储器的所述存储状态为所述第二状态。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一状态为二进制数中的“1”，所述第二状态为二进制数中的“0”。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，徐源竣，吴元均，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44