一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O

Method for preparing tantalum oxide film by DC magnetron sputtering method

The invention discloses a method for preparing tantalum oxide films by DC magnetron sputtering method, which comprises the following steps: the reaction chamber after pretreatment of the substrate into a magnetron sputtering apparatus, a vacuum reaction chamber, filled with the purity of 99.95% Ar as the working gas and the purity was 99.95% O

【技术实现步骤摘要】
一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法
本专利技术涉及一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，具体属于薄膜制备

技术介绍
快离子导体最早应用于取代液态电解质制成的高密度电池。由于快离子导体材料可应用于寿命长，能量低的微型固态电池，还能用于集成电路中，而后者随科技的发展也有了多次长远的发展，由此转而带动了有关快离子导体的研究进展。目前对于快离子导体的分类有四类，分别是一价阳离子固体电解质，二价阳离子固体电解质，三价阳离子固体电解质，四价阳离子固体电解质。对于各分类下的研究都取得了一定的进展。对快离子导体最主流的研究还是处于碱金属和高分子复合材料这一方面，对于氧化物快离子导体的研究则相对较少。仅有的关于氧化物快离子导体的研究方面，如TaOx、ZrOx，用在电致变色器件中依然有很多问题没有办法解决，例如器件的循环寿命还是不高，响应速度也不够快。离子注入的机理也还没有一个统一的认识，各膜层的复合情况也不理想。国内对于快离子传输薄膜的研究兴起不久，尤其是对于用于电致变色器件的快离子薄膜研究，还存在以下几个问题：(1)目前的研究还是集中于高分子聚合材料的快离子导体，对于无机全固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O

【技术特征摘要】
1.一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O2作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得TaOx薄膜。2.根据权利要求1所述的通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，其特征在于：所述预处理为：取基材先用去离子水冲洗掉附着的粗大杂质，随后将基材浸没在丙酮中，在70Hz下超声10min，烘干后放入紫外清洗机中运行18min；再将基材浸没在无水乙醇中，在70Hz下超声10min后，烘干即得。3.根据权利要求1所述的通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，其特征在于：所述基材为载玻片或ITO玻璃；所述Ta靶材为纯度99.95％的高纯钽，尺寸为φ60mm×3mm。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：王海钱，苏豪凯，温刘平，吴智升，王伯宇，王晓强，
申请(专利权)人：东北大学秦皇岛分校，
类型：发明
国别省市：河北,13