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本发明公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O...
该专利属于东北大学秦皇岛分校所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学秦皇岛分校授权不得商用。

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